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三菱 RA07M0608M 说明书

RA07M0608M是一款7瓦RF MOSFET放大器模块，适用于在66至88MHz范围内工作的7.2伏便携式无线电。它具有增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流和宽频带频率范围。

RA07H0608M是RASilicon公司生产的7W 12.5V RF MOSFET放大器模块，工作频率在68-88MHz范围内，适用于便携式收音机。

该文件是关于MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MGFS36E2527的规格说明书，主要介绍了产品的特点、应用场景等信息。

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MGFX36V0717是射频功率场效应管，特点是内部阻抗匹配，高输出功率（4W），高线性功率增益（8dB），高功率附加效率（28%）

MGFC45V6472A 是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专门设计用于6.4-7.2GHz 频段放大器。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装。

MGFC45V3642A是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为用于3.6-4.2GHz频段放大器而设计。该设备具有高可靠性，并提供高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGFC45V3436A是一款3.4-3.6GHz频段的32W功率增益GaAs FET，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真特性。

MGFC44V6472是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为用于6.4-7.2GHz带宽放大器而设计。该密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC44V3642是一款内部匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为在3.6-4.2GHz频段放大器中使用而设计。该产品具有高度可靠性，采用钎焊密封的金属陶瓷封装。

MGFC42V6472A 是一款内部匹配的 GaAs 功率 FET，专为 6.4 - 7.2 GHz 频段放大器而设计。

5.8 ~ 6.75GHz频带的16W内置匹配GaAs FET

MGFC41V6472是一款内部匹配的功率GaAs FET，专为6.4-7.2 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装确保高可靠性。

MGFC41V5964是5.9-6.4GHz频段内置匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为5.9-6.4GHz频段放大器而设计。该产品采用金属陶瓷密封封装，可保证高可靠性。

MGFC41V3642是一种用于3.6-4.2 GHz频段放大器的GaAs功率FET，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点。

MGFC39V6472A是一种内部匹配的高功率GaAs FET，专为在6.4-7.2 GHz频段放大器中使用。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率增益效率和低失真等特点。

MGFC39V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。其密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC39V5867是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75 GHz频段放大器设计。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

MGFC38V6472是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于6.4-7.2 GHz频段放大器。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。