F512K32是一款高速度、16兆位CMOS闪存多芯片模块(MCM),专为全温度范围军事、太空或高可靠性应用而设计。该MCM可以组织为512K x 32位、1M x 16位或2M x 8位设备,并且输入TTL和输出CMOS兼容。命令寄存器由将WE置于逻辑低电平(VIL)进行写入,同时CE为低并且OE处于逻辑高电平(VIH)。通过芯片使能(CE)和输出使能(OE)处于逻辑活动状态来读取数据,请参阅图9。60ns、70ns、90ns、120ns和150ns最大访问时间等级为标准。ACT–F512K32采用密封的封装。