IXYS IXTH 16P20 说明书 该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。
IXYS IXTH/IXTM 6 N80A 数据手册 ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet，具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5 nH）等特点
IXYS IXTK 62N25 说明书 IXTK 62N25是一款高电流N通道增强型MOSFET，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等特点，适用于电机控制、DC斩波器、开关电源等应用场合。
IXYS IXTH / IXTM 6N90A 数据手册 该文件介绍了IXYS公司生产的TO-204 AA (IXTM)和TO-247 AD (IXTH)型号的N沟道增强模式功率MOSFET。产品具有低RDS(on)、坚固的多晶硅栅电池结构、低包装电感等特点。适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。
IXYS IXTP 1R6N50P/IXTY 1R6N50P 说明书 IXTP 1R6N50P是IXYS生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET，其主要特征包括国际标准封装、不加钳电感开关(UIS)额定、低封装电感，易于驱动和保护。
IXYS IXTQ 69N30P, IXTT 69N30P 数据手册 IXTQ 69N30P is a N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with VDSS = 300 V, ID25 = 69 A and RDS(on) = 49 mΩ. It features international standard packages, unclamped inductive switching (UIS) rating and low package inductance.
