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TEXAS INSTRUMENTS CD4076B Types 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CD54/74HC161, CD54/74HCT161, CD54/74HC163, CD54/74HCT163 数据手册

该文档介绍了Harris Semiconductor SCHS154D所提供的数据表。其中CD54HCT161已经过时不再供应。该产品具有4位二进制计数器、异步复位、同步计数和加载、两个计数使能输入、高速计数的前瞻进位等特点。

Central Semiconductor CLL4729A THRU CLL4764A 数据手册

该数据表格列出了Central Semiconductor Corp. TM 116系列齐纳二极管的各种型号、测试电流、最大直流电流、电压和电阻等参数信息。

SONY CXA2067S Preamplifier for High-Resolution Computer Display 数据手册

这是一份关于索尼 CXA2067S 的产品手册

Agilent Technologies inyectorAutomáticoEstándar agilent 1260 manual

Agilent 1260 Infinity 自动注射器用户手册

CYPERSS CY7C1021BV33 64K x 16 Static RAM 数据手册

CY7C1021BV是一种高性能的CMOS静态RAM，按照65,536个字16位的方式组织。该设备具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来对该设备进行写入。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O1到I/O8)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O9到I/O16)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平，同时将写使能(WE)置为高电平来从该设备中读取数据。如果字节低使能(BLE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O1到I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O9到I/O16上。

CYPRESS CY7C1366B CY7C1367B 数据手册

CY7C1366B/CY7C1367B 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM 是 Cypress Semiconductor Corporation 推出的一款高性能同步 SRAM 芯片，其特点是支持 225 MHz 的高速数据传输速率，并提供多种封装形式，包括 JEDEC-standard 100-pin TQFP、119-ball BGA 和 165-Ball fBGA 等，可满足不同应用场景的需求。