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VISHAY Si6447DQ 数据手册

Si6447DQ是Vishay Siliconix生产的一款P通道MOSFET，其最大漏源电压为20V，最大栅源电压为-20V，额定电流为3.2A。

FAIRCHILD Si6466DQ Data Sheet

Si6466DQ 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 是一款高性能的沟槽技术 MOSFET，其 RDS(ON) 非常低，可满足广泛的电源管理应用需求。

SIEMENS SLx 24C64 Standard EEPROM ICs Data Sheet

该数据表提供了SLx 24C64 64 Kbit (8192 × 8 bit) Serial CMOS-EEPROM with I2C Synchronous 2-Wire Bus的相关信息，包括特性、规格、参数等。

VISHAY FX5545G006 数据手册

Vishay Industry 小型和低轮廓9W 1.5A DC/DC升压转换器具有高输出功率密度

G-LINK GLT44016 256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT

GLT44016 256K x 16 是 G-Link 生产的一款高性能 CMOS 动态随机存取存储器，具有快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读/改/写、RAS 仅刷新、CAS 前刷新、隐藏刷新和测试模式能力、512 个刷新周期 / 8 毫秒，可在 40 针 400 毫米 SOJ 和 40/44 针 TSOP(II) 中使用，单 5.0V±10% 电源供应，所有输入和输出均与 TTL 兼容，支持扩展数据输出 (EDO) 页模式操作。

GSI TECHNOLOGY GS88237AB-250/225/200/166/150/133 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs

GS88237AB是一种9Mb同步突发SRAM，具有高性能和低功耗的特点。它支持单/双周期取消选择，具有IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描功能。该产品适用于高性能CPU的二级缓存应用以及DSP主存和网络芯片组支持等同步SRAM应用。

HITACHI HD14068B 数据手册

本文件提供了HD14068的规格信息，包括尺寸、重量、技术要求等。

HITACHI HD74HCT563/HD74HCT573 Octal Transparent Latches (with 3-state outputs) 数据手册

HD74HCT563/HD74HCT573是八位透明锁存器，带有三态输出。当锁存使能（LE）输入为高电平时，HD74HCT563的Q输出将跟随D输入的反相，而HD74HCT573的Q输出将跟随D输入。当锁存使能为低电平时，D输入的数据将保持在输出处，直到锁存使能再次变为高电平。当输出控制输入为高电平时，无论其他输入信号和存储元件的状态如何，所有输出都进入高阻态。

HARRIS Semiconductor HI-5040 thru HI-5051 HI-5046A and HI-5047A CMOS Analog Switches

Harris Corporation的HI-5040系列CMOS模拟开关提供低阻抗开关性能，用于模拟电压高达电源轨道和信号电流高达80mA。

RENESAS HIT667 Silicon NPN Epitaxial

该文件介绍了HIT667的特点和特性，它是一种低频功率放大器，与HIT647互补配对。

HI-SINCERITY MICROELECTRONICS HJ6668 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HJ6668是一种用于通用放大器和开关应用的PNP外延平面晶体管。

HITCHI HM5118165 Series 16 M EDO DRAM (1-Mword × 16-bit) 1 k Refresh Data Sheet

HM5118165是Hitachi生产的16M EDO DRAM，采用0.5um CMOS技术，提供50ns/60ns/70ns的访问时间，1024个刷新周期，16ms的刷新时间。

HITCHI HM62256B Series 256k SRAM (32-kword × 8-bit) Data Sheet

HM62256B系列是Hitachi公司的一款CMOS静态RAM，组织方式为32,768-word × 8-bit，采用0.8 µm Hi-CMOS工艺技术，具有高性能和低功耗特点。该系列产品采用8 × 14 mm TSOP、8 × 13.4 mm TSOP、450 mil SOP、600 mil塑料DIP或300 mil塑料DIP封装，适用于高密度安装。该系列产品具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。

Hittite HMC274QS16 1 dB LSB GaAs IC 5-BIT DIGITAL ATTENUATOR, 0.7 - 2.7 GHz

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Honeywell HX66656 说明书

32Kx8辐射硬化ROM是一款高性能32768字x8位只读存储器，具有行业标准功能。它采用霍尼韦尔的辐射硬化技术制造，专为在辐射环境中运行的系统而设计。ROM可在整个军用温度范围内工作，仅需单一5V ± 10%电源。ROM可提供TTL或CMOS兼容I/O。在正常运行时，功耗通常低于15 mW/MHz，在未选中时低于5 mW。ROM操作是完全异步的，其典型访问时间为14ns。霍尼韦尔增强的SOI RICMOS™IV（辐射不敏感CMOS）技术通过使用先进和专有的设计、布局和工艺硬化技术进行了辐射硬化。RICMOS™IV工艺是一项5伏特、SIMOX CMOS工艺，具有150Å栅氧化物和0.75µm（0.6µm有效栅长——Leff）的最小绘制特征尺寸。其他功能包括钨通孔、霍尼韦尔专有的SHARP平面化工艺以及轻掺杂漏极（LDD）结构，以提高短沟道可靠性。

ICS ICS853561

ICS85356I 2:1, 差分到3.3V双LVPECL / ECL时钟多路复用器是一款高速差分多路复用器。该器件可以配置为2:1多路复用器。双3.3V LVPECL输出。可选择差分CLKxx、nCLKxx输入。CLKxx、nCLKxx对可以接受以下输入类型：LVPECL、LVDS、LVHSTL、SSTL和HCSL。ICS85356I可以因此用作差分转换器，将几乎任何差分输入类型转换为LVPECL。它还可以通过将VCC设置为0V并将VEE设置为-3.0V至-3.8V来在ECL模式下使用。ICS85356I对输入时钟添加了可忽略的抖动，并且可以以高于900MHz的高频率运行，因此非常适合用于如SONET、Fibre Channel、1千兆/10千兆以太网等苛刻的应用。

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