ST STGD3NB60S 数据手册 该文件介绍了STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT的特点和性能，包括高输入阻抗、低导通压降、高电流能力等。
ST STGP7NB60F - STGD7NB60F 数据手册 该文件介绍了一种新产品的初步信息，该产品正在开发或评估中。产品是一种高压功率MOSFET，具有高输入阻抗、低开关电压降、低门电荷、高电流能力和高频操作等特点。
ST STGD7NB60H-1 数据手册 STGD7NB60H-1是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道7A 600V IPAK PowerMESH IGBT，具有高输入阻抗（电压驱动）、低导通压降（Vcesat）、低栅极电荷、高电流能力、非常高的频率操作、关断损耗包括尾电流等特点，应用于高频电机控制、SMPS和PFC在硬开关和谐振拓扑中的应用。
ST STGP7NB60M - STGD7NB60M 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics的一款基于高压技术的IGBT产品系列，具有高输入阻抗、低开启电压降、低关断损耗、低门电荷、高电流能力、高频率操作等特点。适用于电机控制、开关电源和功率因数校正等应用。
ST STGD7NB60S 数据手册 STGD7NB60S是STMicroelectronics推出的一款高压绝缘栅双极型晶体管，具有高输入阻抗、低导通电压、高电流容量等特点。该器件采用DPAK封装，适用于低频应用场景。
ST STGP7NC60H - STGD7NC60H 数据手册 STGP7NC60H - STGD7NC60H 是 STMicroelectronics 推出的一款 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH™ IGBT ，具有低压降、低关断损耗、低开关损耗、高频率运行等特点，适用于高频逆变器、SMPS 和 PFC 等应用场景。
ST STGE200NB60S 数据手册 STGE200NB60S是STMicroelectronics制造的一款高压功率器件，属于PowerMESH™ IGBT系列，具有高输入阻抗、低导通压降、低关断损耗、低栅极电荷和高电流能力等特点。该器件适用于低频电机控制和铝焊设备等应用场合。
ST STGE50NB60HD 数据手册 STGE50NB60HD是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款高性能N沟道IGBT，其特点是采用了最新的高压技术，拥有较低的开关损耗和较高的转换频率，适用于高频电机控制、焊接设备、SMPS和PFC等应用。
ST STGF20NB60S 数据手册 STGF20NB60S是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道13A-600V TO-220FP PowerMESH™ IGBT，该产品具有低导通压降、高电流、低开关损耗、高输入阻抗等特点，适用于光调光、静态继电器、电机控制等应用场景。
ST STGF7NB60SL 数据手册 STGF7NB60SL是STMicroelectronics公司生产的一款N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH™ IGBT，具有低门极电压、低导通电压、低门极电荷和高电流能力等特点。适用于低频应用（<1kHz）。
ST STGP10N60L 数据手册 STGP10N60L是ST公司生产的一款N沟道IGBT器件，其特点是具有高输入阻抗、低导通电压、低阈值电压、高电流容量、低关断损耗等特点，适用于电子点火、灯光调光、静态继电器等应用场合。
ST STGP10NB60S 数据手册 STGP10NB60S是一款N沟道MOSFET，额定电压为600V，最大电流为10A，封装类型为TO-220。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、高电流能力和低关断损耗等特点，适用于灯光调光、静态继电器和电机控制等应用。
ST STGP10NB60SDFP 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics设计的一款先进的IGBT产品，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流能力和尾电流等特点。产品适用于灯光调节器、静态继电器和电机控制等应用领域。
ST STGP12NB60H 数据手册 STGP12NB60H是STMicroelectronics公司生产的一款12A-600V的N-CHANNEL IGBT。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力和高频率工作等特点，主要用于高频率电机控制、SMPS和PFC等应用。
ST STGP12NB60HD 数据手册 STGP12NB60HD是一款N沟道12A - 600V TO-220 PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低关断损耗、低门极电荷、高电流容量、高频操作和并联与反向并联二极管。
ST STGP12NB60K 数据手册 STGP12NB60K 是ST公司生产的一款N-沟道IGBT，其最大集电极-发射极电压为600V，最大集电极-发射极电压压降为2.8V，最大集电流为18A，最大关断电流为60A，工作频率最高可达50kHz
