ST TIP120/121/122 TIP125/126/127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 数据手册 TIP120/121/122 TIP125/126/127是STMicroelectronics制造的硅基NPN和PNP功率达林顿晶体管，可用于功率线性和开关应用。
MOTOROLA TIP120 TIP121 TIP122 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 数据手册 Motorola Bipolar Power Transistor设备数据中介绍了该晶体管的特点和特性，适用于普通放大器和低速开关应用。
PNP TIP125, TIP126, TIP127 Darlington Transistors 数据手册 本文件是关于TIP125, TIP126, TIP127 三种型号的PNP Si-Epitaxial PlanarTransistors 的参数介绍。
MOTOROLA TIP110 TIP111* TIP112* TIP115 TIP116* TIP117* 数据手册 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data，该产品具有高直流电流增益、低收集极-发射极饱和电压、单片式结构、内置基极-发射极旁路电阻、TO-220AB紧凑型封装等特点。
ST STG3680 数据手册 STG3680是ST公司生产的一款高端CMOS DUAL ANALOG S.P.D.T. (Single Pole Dual Throw) SWITCH或DUAL 2:1 Multiplexer/Demultiplexer Bus Switch，工作电压范围为1.65V至4.3V，具有低电阻、高速度、低功耗等特性，非常适合便携式应用。
ST STG3682 数据手册 STG3682是ST的低压高带宽双SPDT开关。该开关具有超低功耗(0.2µA)、低开关电阻(4.6Ω)、宽工作电压范围(1.65V到4.3V)、4.3V耐受性和1.8V兼容阈值。该开关还具有高带宽(-3dB)、100mA的闩锁性能和2000-V的人体模型ESD性能。
ST STG3684 数据手册 STG3684是一种高性能的CMOS双通道开关，在1.65V到4.3V的电压范围内工作，具有低导通电阻（RON小于0.5欧姆）和快速切换速度（典型时间tPD小于0.3纳秒）等特点。该开关适用于便携式电子产品。
ST STGP10NC60KD STGF10NC60KD STGB10NC60KD 数据手册 STMicroelectronics 发布了 STGB10NC60KD, STGF10NC60KD, STGP10NC60KD N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH™ IGBT ，该 IGBT 采用了最新的高压技术，具有出色的性能。应用于高频电机控制应用。
ST STG3699 数据手册 STG3699是ST公司生产的一种高性能、低功耗、高电压范围的四路低压CMOS SPDT开关或2:1多路复用器/解多路复用器开关。该器件工作电压范围为1.65V至4.3V，非常适合便携式应用。
ST STG3699A 数据手册(1) STG3699A是一款高速CMOS低压四路模拟单极双刀开关或2:1多路复用器/解复用器开关，适用于工作电压范围为1.65V至4.3V的可移动应用。它具有非常低的导通电阻(<0.5Ω)，提供了快速的切换速度、断开前延迟时间和超低功耗。
ST STGB10N60L 数据手册 STGB10N60L是STMicroelectronics生产的一款N沟道IGBT，最大额定电压为600V，最大电流为10A，封装为D2PAK（TO-263），具有高输入阻抗（电压驱动）、非常低的导通电压（Vcesat）、低阈值电压（逻辑电平输入）、高电流能力、开关损耗包括尾电流等特点。
