ST AN4016 Application note 数据手册 本应用笔记介绍了一种2 kW-100 V、123 MHz类AB峰值功率放大器（PPA）的设计，该放大器用于3 Tesla MRI应用。它几乎是以前使用标准陶瓷封装的MOSFET晶体管的放大器的输出功率的两倍。设计技术和构造实践进行了详细描述，以允许放大器的复制。
ST AN3267 Application note 数据手册 本应用笔记介绍了功率MOSFET栅极驱动电压对单相同步降压转换器电源管理和开关行为的影响，并通过OrCAD®仿真和台架测试结果对不同功率MOSFET栅极-源极电压对转换器效率和主电路节点波形的影响进行了详细分析。
ST AN2657 Application note 数据手册 本文介绍了一种用于预测LDMOS直流、小信号和大信号行为的创新verilog模型。该模型简单易懂，可以较好地描述直流、小信号S参数和大信号行为，可供设计人员在开发新应用时使用。
ST AN2649 数据手册 本文介绍了一种使用MDmeshTM II和SiC二极管的功率因数校正器。通过比较传统元件和新一代超结MOSFET和SiC二极管的动态特性，分析了它们在开关性能和转换器效率方面的定性和定量改进。
ST AN2386数据手册 该应用笔记介绍了MOSFET阈值电压温度系数（TVTC）的计算方法。TVTC是MOSFET在线性区运行时发生热失控的主要原因之一。TVTC越小，MOSFET在线性区运行时的安全性越高。
ST AN1506 APPLICATION NOTE 数据手册 本文件介绍了一种低压大电流功率MOSFET的设计方法，该方法采用了新的条带型结构，具有低导通电阻和优异的抗冲击能力。这种MOSFET适用于高电流低电压转换器应用。
ST AN1316 数据手册 MDmesh™ 多沟道金属网状场效应晶体管（MOSFET）是 ST 研发的一种高电压功率 MOSFET，采用了新型的垂直沟道结构和 ST 成熟的 Mesh Overlay™ 金属网状布局。采用这种结构的 MOSFET 电阻更低，导通电压更低，耐压能力更强。
ST AN1256 数据手册 该应用笔记介绍了STMicroelectronics的最新产品SD2933，这是一款单端、50 V、300 W、金（Au）金属化的N通道垂直功率MOSFET，设计用于高达150 MHz，具有极高的增益和增强的热封装，非常适合各种应用，包括等离子体生成、激励和FM广播应用。
ST AN1226 数据手册 介绍了RF功率MOSFET器件的两个基本类型DMOS和LDMOS的结构方面，比较了DMOS和LDMOS结构，揭示了RF MOSFET器件技术的基本原理，以及改善其RF性能和可靠性所面临的挑战
LAB.GRUPPEN fP 2600 用户手册 该文件是Arriflex 535B相机的快速使用指南，介绍了相机的安全规范、外观、快速规格、状态指示灯、装载杂志、Threading、电源开启、Camera RUN、Inching、更改Fps、更改快门角度、Timecode Sensitivity Table、Arri Group Addresses等内容。
