Search Manuals

lnfineon BFP650 说明书

BFP650是鼎好电子的一款NPN硅锗射频晶体管，用于高功率放大器和低相位噪声振荡器，最大增益为21dB，1.8GHz噪声因子为0.9dB，采用金属化工艺，可靠性高，fT为70GHz。

VISHAY BFP67/BFP67R/BFP67W Data Sheet

BFP67/BFP67R/BFP67W 是 Vishay Telefunken 生产的一款低噪声小信号放大器，工作频率可达 2 GHz，具有优异的噪声特性和增益性能。

PHILIPS BFQ135 NPN 6.5 GHz wideband transistor 说明书(1)

BFQ135 是飞利浦公司生产的一款 NPN 6.5 GHz 宽带晶体管，具有优良的温度特性和可靠性，适用于 MATV 和微波放大器等应用

PHILIPS BFQ135 NPN 6.5 GHz wideband transistor 说明书(1)(1)

BFQ135是一款NPN型6.5 GHz宽带晶体管，具有优异的温度特性和可靠性，适用于MATV和微波放大器等应用。

PHILIPS BFQ136 NPN 4 GHz wideband transistor 说明书

BFQ136是飞利浦公司生产的一款NPN 4 GHz宽带晶体管，其特征特性包括极高的输出电压能力，主要用于UHF放大器的最终阶段。

SIEMENS TDA 16888 说明书

该数据表介绍了高性能电源组合控制器 TDA 16888 的特点特性。

lnfineon TDA 16888 说明书

该文件介绍了一款名为TDA 16888的高性能电源组合控制器的技术资料，包括PFC（功率因数校正）部分和PWM（脉宽调制）部分的特点和特性。其中PFC部分符合IEC 1000-3标准，具有辅助电源供应的额外操作模式，快速、软开关的门极驱动，双环控制，前沿触发的脉宽调制，峰值电流限制，可采用提升或飞挡拓扑结构的PFC前置转换器，可连续或不连续工作模式。PWM部分具有改进的电流模式控制，快速、软开关的门极驱动，软启动管理，尾沿触发的脉宽调制，采用前馈或飞挡拓扑结构的PWM变换器，最大占空比为50%以防止变压器饱和，可外部同步。此外，该产品具有高功率因数、低启动供电电流、低静态电流、欠压锁定、内部待机操作、内部同步固定工作频率范围、外部同步、外部触发关闭两个输出、峰值电流限制、过压保护、通过噪声滤波实现平均电流感测等特点。

SIEMENS TDA 16888 说明书

该文件介绍了一款高性能功率组合控制器TDA 16888的特点和特性，包括PFC部分和PWM部分的功能及工作模式。

TDA1236 Sound Channel IC for TV Receivers (1)

1

TDA1236 Sound Channel IC for TV Receivers (1)(1)

1

ST TDA2006 12W AUDIO AMPLIFIER 说明书(1)(1)

1

ST TDA2006 12W AUDIO AMPLIFIER 说明书(1)

TDA2006是一款12W的音频放大器，工作电压为±12V，输出功率为12W，输出电流为3A，具有很低的谐波和交叉失真。

ST TDA2 0 07A May 1991 6 + 6W STEREO AMPLIFIER 说明书(1)(1)

TDA2007A 是鼎好推出的一款 6 + 6W 的立体声功放，采用 SIP9 封装，具有高输出功率、高电流能力、AC 短路保护和热保护等特点，适用于音乐中心、电视机接收器和便携式收音机等场合。

ST TDA2 0 07A May 1991 6 + 6W STEREO AMPLIFIER 说明书(1)

TDA2007A是一款高输出功率、高电流能力的AB类双声道音频功放芯片，适用于音乐中心、电视接收器和便携式收音机的立体声应用。

infineon SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书

该产品是鼎好公司的一款高压功率晶体管，最大电压为650V，电流为11A。特点是新一代革命性高压技术，超低栅极电荷，周期性雪崩额定，极端dv/dt额定，高峰电流能力，改进的传导率。

infineon SPA11N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书(1)(1)

SPA11N60CFD酷特摩斯功率晶体管，具有极低的反向恢复电荷和超低的栅极电荷，具有极高的dv/dt额定值，并且具有高峰值电流能力和周期性雪崩额定值。

infineon SPA11N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书(1)

SPA11N60CFD是新款高压功率晶体管，具有内置快速恢复二极管、极低反向恢复电荷、超低栅极电荷、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力、周期性雪崩额定值等特点。

infineon SPP11N65C3, SPA11N65C3 SPI11N65C3 Cool MOS Power Transistor 说明书

SPP11N65C3, SPA11N65C3 SPI11N65C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 650 V 的 VDS、0.38 的 RDS(on) 和 11 A 的 ID。其特点是新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、高峰值电流能力和改进的传导率。

infineon SPP11N65C3, SPA11N65C3 SPI11N65C3 Cool MOS Power Transistor 说明书

1

STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书

SPA-1218是斯坦福微设备公司生产的一款1960MHz 1瓦功率放大器。该器件采用高可靠性GaAs HBT技术，具有高线性度性能，最高可达到+48dBm OIP3。SPA-1218采用低成本的表面贴装塑料封装，适用于PCS系统和多载波应用。