SGS-THOMSON STP6N60FI 说明书(1)(1) 该文件介绍了STP6N60FI型号的N沟道增强型功率MOS晶体管的特点和特性，包括低电阻、耐压高、高速开关、可靠性测试等。适用于高电流、高速开关的应用领域，如开关模式电源、斩波调节器、转换器、电机控制和工业消费者环境的照明。
SGS-THOMSON STP6N60FI 说明书(1) STP6N60FI是一种功率MOS晶体管，具有N沟道增强模式，典型RDS(on) = 1Ω，具备100%的雪崩测试，适用于高电流、高速开关等应用场景。
SGS-THOMSON STP6NA60 STP6NA60FI 说明书 stp6na60是鼎好的一款mos管，它具有低导通电阻、低门极电荷、优异的开关性能等特点。适用于高电流、高频率开关应用，如开关电源、逆变器等。
SGS-THOMSON STP6NA60FP 说明书(1)(1) STP6NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR is a high voltage power MOSFET with low RDS(on) and gate charge. It is suitable for high current, high speed switching applications.
SGS-THOMSON STP6NA60FP 说明书(1) STP6NA60FP是一种N沟道增强模式快速功率MOS晶体管，具有低阻抗、低内部电容、最小化的门电荷和降低的阈值电压扩散等特点。适用于高电流、高速开关、开关模式电源、直流-交流转换器以及焊接设备、不间断电源和电机驱动等应用。
SGS-THOMSON STP6NA80 STP6NA80FI 说明书 STP6NA80是STMicroelectronics公司的N沟道增强型高速功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为1.68欧姆，栅极到源极电压额定值为±30V，100%雪崩测试，重复雪崩数据在100oC，低固有电容，栅极电荷最小化，降低阈值电压分散。
ST STP6NA80/STP6NA80FI 说明书 该文件介绍了STP6NA80和STP6NA80FI型号的N沟道增强模式快速功率MOS晶体管的特点和特性，包括低RDS(on)和栅极电荷、卓越的耐用性和优异的开关性能。
ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书 STP6NB25是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)只有0.9欧姆，dv/dt能力极高，可用于高电流、高频率开关应用，如UPS电源、DC-DC&DC-AC转换器等。
ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书(1) 该文档介绍了STMicroelectronics生产的STP6NB25和STP6NB25FP型号的功率MOSFET产品的特点和性能。这些产品采用最新的高压MESH OVERLAY工艺，具有极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，非常低的内在电容和最小化的门电荷。适用于高电流、高速开关、UPS、电信、工业和消费电子等领域。
ST STP6NB50/STP6NB50FP 说明书(1)(1) 该文件介绍了STP6NB50和STP6NB50FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET的特点特性，包括低RDS(on)，极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，极低的内在电容和最小化的栅极电荷。
ST STP6NB50/STP6NB50FP 说明书(1) STP6NB50/STP6NB50FP是SGS-Thomson公司推出的N沟道增强型MOSFET，采用Mesh Overlay工艺，具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、极低的内阻和开关特性，适用于高电流、高开关速度的应用场合，如开关电源、焊接设备等
ST STP6NB80/STP6NB80FP 说明书(1) STP6NB80是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为1.6欧姆，最大电压为800V，最大电流为5.7A，应用于高频高压开关、SMPS、DC-AC变换器、焊接设备和UPS等。
ST STP6NB90/STP6NB90FP 说明书 STP6NB90/STP6NB90FP 是 STMicroelectronics 公司设计的一款高性能 N 沟道 900V 功率 MOSFET，具有典型 RDS(on) = 1.7 欧姆、极高 dv/dt 能力、 100% 雪崩测试、极低固有电容和最小化栅极电荷等特点。该器件可用于高电流、高速度开关、开关模式电源 (SMPS)、焊接设备的 DC-AC 转换器、不间断电源和电机驱动等应用。
