ST STB60NF06L STP60NF06L STP60NF06LFP 说明书 该文件介绍了STB60NF06L, STP60NF06L和STP60NF06LFP系列的N-CHANNEL 60V - 0.012Ω - 60A MOSFET。这些产品具有低输入电容和栅电荷，适用于高效率、高频率隔离的DC-DC转换器和低门极驱动要求的应用。
ST STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP 说明书 该文件介绍了STB60NF06L、STP60NF06L和STP60NF06LFP三个型号的N沟道60V功率MOSFET的特点和特性。该系列产品采用STMicroelectronics独特的STripFET工艺，具有出色的dv/dt能力，经过100%雪崩测试，适用于高效隔离DC-DC转换器和低门电荷驱动需求的应用。
ST STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP 说明书 该文件介绍了STB60NF06L、STP60NF06L和STP60NF06LFP三款产品的特点和特性，包括其在高效隔离式DC-DC转换器和其他低门电荷驱动需求应用中的适用性。
ST STB60NF10 STP60NF10 说明书 该文档介绍了一款N沟道功率MOSFET产品，具有极高的dv/dt能力和低输入电容和门电荷。适用于高效率DC/DC转换器、工业和照明设备以及电机控制等应用。
ST STP60NS04Z 说明书 这份文件是关于STP60NS04Z N - CHANNEL CLAMPED 10mΩ - 60A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET的初步数据。该产品具有低电阻、高耐压、低电容和门电荷等特点，适用于ABS、SOLENOID DRIVERS、MOTOR CONTROL和DC-DC CONVERTERS等应用。
ST STP60NS04Z 说明书 该文件介绍了STP60NS04Z N型沟道夹紧MOSFET的特点和特性，包括低电阻、100%的雪崩测试、低电容和栅电荷以及175℃的最高结温。该产品采用最新的Mesh Overlay工艺生产，适用于汽车环境和需要额外坚固性的其他应用。
ST STP60NS04ZB 说明书 该文件介绍了2002年11月1/8的STP60NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED 10mΩ - 60A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET的技术特点。该产品采用先进的Mesh Overlay工艺，具有额外的夹紧能力，适用于汽车等恶劣环境中的应用。
ST STP60NS04ZB 说明书 STP60NS04ZB N-channel clamped - 10mΩ - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET是ST公司最新研发的一款功率MOS管，具有100% 雪崩测试、低电容和栅极电荷、175℃最大结温等特点。该产品适用于汽车等恶劣环境。
ST STP62NS04Z 说明书(1)(1) 该文件是STP62NS04Z N-channel clamped 12.5mΩ - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET 的数据手册
ST STP62NS04Z 说明书(1) STP62NS04Z是凌通科技生产的一款N沟道CLAMPED MOSFET，具有低RDS(on)、100%防雪崩和175°C最大结温等特点，适用于汽车电子等恶劣环境
ST STD65NF06 STP65NF06 说明书 STD65NF06 STP65NF06 N-channel 60V - 11.5mΩ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET™ II Power MOSFET是STMicroelectronics公司推出的一款新型功率MOSFET，该产品具有标准水平门驱动、100%雪崩测试等特点，可应用于开关应用中。
ST STP6LNC60 STP6LNC60FP 说明书 STP6LNC60/STP6LNC60FP是一款600V-1Ω-5.8A的N沟道MOSFET，应用于高电流、高速度开关、开关电源（SMPS）、DC-AC转换器、焊接设备和不间断电源、电机驱动等领域。
SGS-THOMSON STP6LNC60 STP6LNC60FP 说明书 STP6LNC60 是 600V 耐压，1 欧姆导通电阻，5.8A 最大电流的 N 沟道 PowerMesh™II MOSFET，特点是极高 dv/dt 能力，100% 雪崩测试，新一代高压基准，最小化栅极电荷。
SGS-THOMSON STP6N25 STP6N25FI 说明书(1)(1) 该文件介绍了STP6N25和STP6N25FI型号的N沟道增强型功率MOS晶体管的特点和特性，包括典型的导通电阻、耐压能力、应用领域等。
SGS-THOMSON STP6N25 STP6N25FI 说明书(1) STP6N25 STP6N25FI是鼎好的产品，是一款N沟道增强型功率MOS晶体管。该产品具有典型RDS(on)=0.7Ω，应用于高快速开关、不间断电源供应(UPS)、电机控制、音频放大器、工业执行器、电信、工业和消费环境的DC-DC和DC-AC转换器，特别适用于电子荧光灯镇流器。
