intel 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) 28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30 Data sheet 该文件介绍了1.8伏特英特尔无线闪存内存与3伏特输入/输出和静态随机存取存储器（SRAM）的特点。它采用先进的英特尔闪存技术和低功耗SRAM，为高性能、低功耗、板约束型内存应用提供了最多功能和最紧凑的存储解决方案。它具有多分区、双操作的闪存架构，可以在一个分区读取同时在另一个分区编程或擦除。这种读取同时写入或读取同时擦除的能力使得它可以实现比单个分区设备更高的数据吞吐率，并且允许两个处理器交错代码执行，因为编程和擦除操作现在可以作为后台进程进行。该产品还包括增强的工厂编程模式，以提高12伏特工厂编程性能，并帮助消除与编程高密度闪存设备相关的生产瓶颈。此外，它还包括块锁定、可编程WAIT信号等功能。
GSI TECHNOLOGY GS70328SJ/TS 32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM GS70328是一种高速CMOS静态RAM，采用32,763个字节和8位组织。静态设计消除了对外部时钟或时间触发器的需求。GS70328采用单一的3.3V电源，并且所有输入和输出都与TTL兼容。GS70328提供300 mil的28引脚SOJ和8 x 13.4 mm2的28引脚TSOP Type-I封装。
GSI TECHNOLOGY GS88018/32/36AT-250/225/200/166/150/133 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs GS88018/32/36AT是一款9Mb同步突发SRAM，具有高性能和可配置的特点。
ST HCF4086B 数据手册 HCF4086B是一款集成电路，由金属氧化物半导体技术制造，提供DIP和SOP封装。HCF4086B包含一个4通道2输入AND-OR反相器，并带有一个INHIBIT EXP输入和一个ENABLE/EXP输入。INHIBIT/EXP连接到VSS，ENABLE/EXP连接到VDD。用于4宽A-O-I函数。
Agilent Echantillonneur d'espace de tête Agilent 7697A 该文件是关于Agilent 7697A Headspace Sampler的故障排除手册，文件中包含了故障排除的步骤和方法
Agilent Echantillonneur 7696A WorkBench Préparation du site 说明书 该文件介绍了Agilent Technologies的7696A WorkBench样品制备站，包括设备的特点和使用注意事项。
intersil HIN232, HIN236, HIN237,HIN238, HIN239, HIN240, HIN241 数据手册(1) HIN232-HIN241系列是一种+5V供电的RS-232传输器/接收器接口电路，符合所有的EIA RS-232E和V.28规范，特别适用于没有±12V电源的应用。它们只需要单个+5V电源供应（除了HIN239），并且具有内置的电荷泵电压转换器，可以从5V供应中产生+10V和-10V的电源。该系列设备提供了各种RS-232传输器/接收器组合，以适应不同的应用（请参阅选择表）。驱动器具有真正的TTL/CMOS输入兼容性、有限的输出斜率和300Ω的断电源阻抗。接收器可以处理±30V，并具有3kΩ至7kΩ的输入阻抗。接收器还具有滞后特性，可大大提高噪声抑制能力。
Agilent Compartiment à colonne thermostaté Agilent série 1200 G1316A/G1316B/G1316C Manuel d’utilisation Agilent Technologies系列1200温控柱室用户手册
Agilent 6850 Series Control Module User Info (French) 说明书 该文档是Agilent Technologies公司生产的6850系列气相色谱仪控制模块的用户手册，主要介绍了该模块的功能、操作方法和使用技巧。
HM6268 Series Maintenance only 4096-word × 4-bit High-Speed CMOS Static RAM HM6268是东芝公司生产的一款4096-word x 4-bit高速度CMOS静态RAM。
intersil HS-26CT32RH-T 数据手册 HS-26CT32RH-T是Intersil公司生产的一款射频产品，属于QML Class T类别，经过严格测试，保证在100kRAD总剂量的极端环境下也能正常工作。该产品是一款四路差分线路接收器，支持数字数据的传输，满足EIA标准RS-422的要求。产品采用了辐射增强CMOS工艺，保证了在恶劣环境下也能保持低功耗、高速度和可靠性。
hunix HY5DU121622CTP 512Mb(32M×16) GDDR SDRAM HY5DU121622CTP-4是536,870,912-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM, 适用于需要大容量内存密度和高带宽的主存储应用
DRAM & SRAM Memory HY62256A-(I) Sereis HY62256A-(I) Series 32Kx8bit CMOS SRAM是Hyundai Electronics America生产的高性能CMOS存储器，具有低功耗、高速度、数据保持模式等特点，适用于低电压和电池后备应用。
infineon HYS72D32300GBR–[5/6]–C, HYS72D64300GBR–[5/6]–C, HYS72D64320GBR–[5/6]–C, HYS72D128320GBR–6–C 184-Pin Registered Double Data Rate SDRAM Module 这是一份关于HYS72D系列DDR SDRAM模块的数据手册，该手册介绍了HYS72D系列模块的特点和特性。
