intel 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) 28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30 Data sheet

更新: 29 September, 2023

该文件介绍了1.8伏特英特尔无线闪存内存与3伏特输入/输出和静态随机存取存储器（SRAM）的特点。它采用先进的英特尔闪存技术和低功耗SRAM，为高性能、低功耗、板约束型内存应用提供了最多功能和最紧凑的存储解决方案。它具有多分区、双操作的闪存架构，可以在一个分区读取同时在另一个分区编程或擦除。这种读取同时写入或读取同时擦除的能力使得它可以实现比单个分区设备更高的数据吞吐率，并且允许两个处理器交错代码执行，因为编程和擦除操作现在可以作为后台进程进行。该产品还包括增强的工厂编程模式，以提高12伏特工厂编程性能，并帮助消除与编程高密度闪存设备相关的生产瓶颈。此外，它还包括块锁定、可编程WAIT信号等功能。

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MD5: 65C386C0BA9CD17A259C221E0CDFECD3

发布时间: 08 June, 2012

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