ST STP21NM50N/STF21NM50N/STW21NM50N/STB21NM50N/STB21NM50N-1 数据手册 STB21NM50N是ST公司推出的一款N沟道500V-0.15Ω-18A的MOSFET，采用第二代MDmesh技术，具有100%雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点，适用于高效率转换器。
ST STP22NM50/STP22NM50FP/STB22NM50/STB22NM50-1 数据手册 该文件介绍了STP22NM50和STB22NM50系列N沟道功率MOSFET的特点和特性，如低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性。
ST STP25NM50N, STF25NM50N, STB25NM50N/-1, STW25NM50N 数据手册 STx25NM50N 是第二代 MDmesh 技术的产物，具有极低的导通电阻和栅极电容。适用于对效率要求最严苛的高压转换器
ST STP6NK50Z/STF6NK50Z/STD6NK50Z 数据手册 STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93Ω - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET是ST公司推出的一款高性能MOSFET器件，其典型RDS(on)为0.93Ω，非常适合于对开关速度要求较高的高电流应用，如开关电源、适配器和PFC等。
ST STP10NB50, STP10NB50FP 数据手册 STP10NB50 / STP10NB50FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道500V/0.55Ω/10.6A功率MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt和低gate charge等特点，应用于高电流、高频率开关、开关电源、直流-交流变换器、电焊设备和不间断电源等。
ST STP10NC50, STP10NC50FP 数据手册 STP10NC50/STP10NC50FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道高压MOSFET，采用最新的MESH OVERLAY工艺，具有极低的RDS(on)、超高的dv/dt能力和极低的寄生电容，广泛应用于高频高压开关电路中。
ST STP11NK50Z/STP11NK50ZFP/STB11NK50Z 数据手册 该文件介绍了STP11NK50Z - STP11NK50ZFP STB11NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.48Ω - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、非常低的固有电容、非常好的制造重复性等。
ST STP12NM50/STP12NM50FP/STB12NM50/STB12NM50-1 数据手册 STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-CHANNEL 550V @ Tjmax-0.30Ω - 12A TO-220/FP/D²/I²PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET 是一款高性能的MOSFET，具有出色的低阻抗、高dv/dt和优异的雪崩特性。该产品非常适合提高高压转换器的功率密度，从而实现系统小型化和更高效率。
ST STP12NM50FD/STP12NM50FDFP/STW14NM50FD/STB12NM50FD/STB12NM50FD-1 数据手册 该文件介绍了一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关和内置快速恢复二极管等特点。适用于桥式拓扑结构和零电压开关相位移转换器等应用。
