INFINEON IPW90R500C3 数据手册 IPW90R500C3是CoolMOS™ 900V系列的功率晶体管，具有极低的RON x Qg、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和Pb-free lead plating；RoHS兼容性；超低栅极电荷
INFINEON IPD50R520CP 数据手册 IPD50R520CP是一款功率晶体管，它的特点是RONxQg最低、极低的门极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰电流能力、无铅铅镀层、符合RoHS标准，并根据JEDEC1)的目标应用进行了鉴定。
INFINEON IPP90R500C3 数据手册 IPP90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比率、极端的 dv/dt 等级以及高峰电流能力。它已经通过 JEDEC1) 认证，适用于目标应用。该产品不含铅，符合 RoHS 标准，具有极低的栅极电荷。CoolMOS™ 900V 专为以下应用而设计：准谐振反激/正向拓扑结构、PC 银盒和消费应用以及工业 SMPS。
MICROCHIP MCP2150 IrDA Standard Protocol Stack Controller Supporting DTE Applications 说明书 该文件介绍了Microchip Technology Inc.的MCP2150产品，它实现了IrDA标准，包括多种通信协议和数据传输速率，可以与行业标准的UART和红外收发器轻松连接。
INFINEON IPA50R520CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPA50R520CP 是 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RON x Qg 比值、超低栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、无铅铅镀层和 RoHS 合规性。
INFINEON IPA50R199CP CoolMOS ower Transistor 说明书 IPA50R199CP是CoolMOSTM功率晶体管，特点是RON x Qg最小，栅极电荷极低，dv/dt额定值极高，峰值电流能力高，符合RoHS标准。应用领域包括硬开关和软开关SMPS拓扑、CCM PFC、ATX、笔记本适配器、PDP和LCD电视。
INFINEON IPP50R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书 该数据表提供了IPP50R299CP的参数信息，包括最大电压、最大电流、最小电流、最大功率、最大温度等。
INFINEON TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz Wireless Transceiver 说明书 该文件是关于TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz无线收发器的数据手册。介绍了该产品的特点和特性。
INFINEON SPB12N50C3 数据手册 该数据表是关于SPB12N50C3 Cool MOS 功率晶体管的，包括产品的最大额定电流、最大峰值电流、反向二极管dv/dt、最大功耗、工作温度范围等信息。
INFINEON IPW60R250CP 数据手册 IPW60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值和高峰值电流能力。该产品经过JEDEC1)认证，符合目标应用要求，无铅镀铅；符合RoHS要求。CoolMOS CP专为硬开关SMPS拓扑而设计。
INFINEON IKW50N60T 数据手册 IKW50N60T是英飞凌推出的一款IGBT产品，采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有低压降、高可靠性、高耐热性等特点。该产品适用于频率变换器和不间断电源等应用。
INFINEON - IPP60R250CP 说明书 IPP60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg值，超低的门电荷，极高的dv/dt额定值和高峰值电流能力。它适用于硬切换的开关模式电源拓扑结构。
INFINEON IPA90R500C3 说明书 IPA90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，符合JEDEC1)目标应用要求，铅免铅镀锡，RoHS兼容，超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 设计用于：准谐振反冲/正向拓扑结构，PC银盒和消费类应用，工业SMPS
INFINEON SPP21N50C3/SPI21N50C3/SPA21N50C3 说明书 SPP21N50C3 SPI21N50C3 和 SPA21N50C3 是 Cool MOS™ 功率晶体管，其特点是全球领先的 RDS(on) 和极低的有效电容。这些晶体管具有周期性雪崩等级、极端 dv/dt 等级、超低栅极电荷和改进的传导率。
INFINEON - IPW50R199CP 数据手册 IPW50R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg特性、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和符合RoHS的无铅电镀等特点。
