infineon SPW52N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 spww52n50c3是鼎好品牌的p-to247类型的功率晶体管，其特点是世界领先的rds(on)，极低的栅极电荷，周期性放电额定，极限dv/dt额定，极低的有效电容和改进的传导率。
infineon SPW52N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文档是关于SPW52N50C3的技术资料，主要介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on)、ID、Avalanche energy、EAS、Avalanche current、IAR、Gate source voltage、VGS、Power dissipation、Tj、Tstg、dv/dt、RthJC、RthJA、Tsold等。
SIEMENS BFP 450 说明书 本文介绍了BFP 450半导体组的SIEGET 25 NPN硅射频晶体管的特点特性，包括中等功率放大器、压缩点P-1dB、最大可用增益Gma、噪声系数F、过渡频率fT等。
lnfineon BFP650 说明书 BFP650是鼎好电子的一款NPN硅锗射频晶体管，用于高功率放大器和低相位噪声振荡器，最大增益为21dB，1.8GHz噪声因子为0.9dB，采用金属化工艺，可靠性高，fT为70GHz。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 是一款新型高压MOS功率晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、极低的有效电容和改进的传导率。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文件介绍了SPP12N50C3、SPB12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3四种型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐受能力、极端的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导以及不同封装类型和标记。还列出了各种型号的最大额定值，如连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1)(1) SPA-1318是Stanford Microdevices生产的一款功率放大器，具有高效率、高可靠性和高线性度等特点。
SIRENZA SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices的SPA-1318产品，该产品是一种高效率GaAs HBT放大器，具有高线性性能和可降低功耗的特点。适用于W-CDMA系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1) SPA-1318 2150 MHz 1 Watt 功率放大器带有有源偏置
infineon SPP16N50C3, SPB16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3 说明书 SPP16N50C3, SPB16N50C3, SPI16N50C3, SPA16N50C3是Cool MOS™功率晶体管，其特点是新革命性的高电压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、超低有效电容和改进的传导率。
SIRENZA SPA-2118 850 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1)(1) 这份文件是Sirenza Microdevices公司的SPA-2118 850 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias的产品介绍，该产品具有高线性性能、高增益、高可靠性等特点
SIRENZA SPA-2118 850 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1) SPA-2118是Sirenza Microdevices推出的一款功率放大器，采用高可靠性GaAsHBT技术，封装为低成本表面贴装塑料封装，具有高线性度性能、高增益、可控偏置等特点，应用于IS-95 CDMA系统、多载波应用、AMPS、ISM应用等场景。
SIRENZA SPA-2118 850 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(2) SPA-2118是Sirenza Microdevices的一种高效率GaAs异质结双极晶体管(HBT)放大器，采用低成本的表面贴装塑料封装。这些HBT放大器使用分子束外延生长技术制造，可产生可靠的器件，使其在具有挑战性的环境中保持高性能。
infineon SPP21N50C3, SPB21N50C3 Final data SPI21N50C3, SPA21N50C3 说明书(1) SPP21N50C3, SPB21N50C3 SPI21N50C3, SPA21N50C3是鼎好最新推出的一款高性能功率晶体管，具有超低RDS(on)、超低门极电荷、极端dv/dt额定值、超低有效电容、改进的传导率等特点。
infineon SPP21N50C3, SPB21N50C3 Final data SPI21N50C3, SPA21N50C3 说明书(2) 这份文档介绍了SPP21N50C3, SPB21N50C3, SPI21N50C3, SPA21N50C3四种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、全球最佳RDS(on)、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容、改进的跨导等。
SIRENZA SPA-2318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias SPA-2318是Stanford Microdevices生产的一款高效率的2150 MHz 1 Watt功率放大器，采用GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)制造工艺，具有高线性度、高增益、低噪声和低功耗等特点，适用于W-CDMA系统和多载波系统
PDI SPA-2501-25 SURFACE MOUNT 2-WAY SPLITTER 说明书 该数据表提供了SPA-2501-25 表面贴装 2 通道功率分配器的详细信息。该器件具有 1700-2500 MHz 的频率范围、50 欧姆的特性阻抗，并且非常适用于需要小型、低成本和高度可靠的表面贴装组件且具有广泛应用场景的应用，如宽带、无线和其他通信系统。
