FUJI 2SK2639-01 Data Sheet(1)(1) 该文件介绍了2SK2639-01 N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性,包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。
FUJI 2SK2640-01MR Data Sheet 2SK2640-01MR是鼎好半导体生产的一款N沟道MOS-FET,具有高开关速度、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高耐压等特点,应用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等领域。
FUJI ELECTRIC 2SK2640-01MR DATA SHEET 该文档介绍了2SK2640-01MR N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性,包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。该产品适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等应用领域。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(1) TC7WBD126FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线开关,具有CMOS的低功耗特性。当输出使能(OE)为高电平时,开关打开;当为低电平时,开关关闭。内部二极管使得电源线的电平从5V变为3.3V。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(2) TC7WBD126FK是一种低开关电阻、高速CMOS 2位总线开关,具有低功耗的特点。它可以在最小的传播延迟下进行连接或断开连接。当输出使能(OE)为高电平时,开关处于打开状态;当为低电平时,开关处于关闭状态。该器件还具有内部二极管,可实现信号电平从5V到3.3V的转换。