SANYO 2SK2625ALS 数据手册(1) 2SK2625LS 是三洋生产的一款低导通电阻的 MOSFET 晶体管,其最大漏源电压为 600V,最大漏源电流为 4A,最大栅源电压为 30V,最大功耗为 2.0W。
SANYO 2SK2625ALS 数据手册(2) 该文件介绍了2SK2625ALS产品的规格和特性。这是一款由SANYO Semiconductor Co.,Ltd生产的电子设备,适用于家用电器、音视频设备、通信设备、办公设备和工业设备等一般电子设备的标准应用。该产品不适用于医疗设备、航空仪器、核控设备、燃烧器具、交通工具、交通信号系统、安全设备等特殊应用,也不提供相关的可靠性保证。客户在使用该产品前应对其进行评估和测试。
SANYO 2SK2627 数据手册(1) 该文件是关于SANYO的产品技术资料,介绍了N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications的特点和特性。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1) 2SK2638-01MR 是 N 沟道 MOS-FET FAP-IIS 系列,最大电压为 450V,电流为 10A,功率为 50W。它具有高速度开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ±30V 保证、重复雪崩额定等特点。它可用于开关电源、UPS、DC-DC 转换器和通用功率放大器。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1)(1) 2SK2638-01MR是鼎好电子的N沟道MOS-FET,具有高开关速度、低导通电阻、无次级击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ± 30V保证、重复雪崩额定等特点,适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器、通用功率放大器等应用。