ST AN2649 数据手册 本文介绍了一种使用MDmeshTM II和SiC二极管的功率因数校正器。通过比较传统元件和新一代超结MOSFET和SiC二极管的动态特性，分析了它们在开关性能和转换器效率方面的定性和定量改进。
ST AN2386数据手册 该应用笔记介绍了MOSFET阈值电压温度系数（TVTC）的计算方法。TVTC是MOSFET在线性区运行时发生热失控的主要原因之一。TVTC越小，MOSFET在线性区运行时的安全性越高。
ST AN2385 数据手册 本文介绍了现代功率MOSFET器件的重要参数，包括功耗及其线性降额因子、硅限制漏极电流和脉冲漏极电流。文档解释了这些参数是什么以及如何计算，对于客户理解和阅读功率MOSFET数据手册有很大帮助。
ST AN2050 APPLICATION NOTE 数据手册 本文件介绍了使用UC3845 PWM驱动器和STC03DE170作为主开关设计的3相辅助电源的设计结果，并发布了45W双输出SMPS演示板，广泛用于3相电机驱动应用中的辅助电源。此外，还给出了ESBT基驱动电路和一些优化功耗的指南。详细描述了寄生电容对ESBT的影响。此外，为了消除最大输入电压和最小负载时的振荡，还添加了斜坡补偿。因此，提出了理论讨论。最后，提供了输出短路保护功能的实现方法。
ST AN1722 APPLICATION NOTE 数据手册 本技术文件介绍了如何使用集成电路TSM108、PNP功率双极型晶体管STN790A、或P通道功率MOSFET STS3DPFS30、NPN功率双极型晶体管STSA1805和二极管1N5821来设计和实现CCFL应用
