International IOR Rectifier IR20153S & (PbF) 数据手册 IR20153S是一种高压、高速功率MOSFET驱动器。具有浮动通道、抵抗负过渡电压、耐dV/dt、5V至20V的门极驱动电源范围、欠压锁定、内部充电FET用于引导电路刷新、内部死区时间等特点。
lnternational IOR Rectifier IR207DM16CCB 数据手册 该文件介绍了IR207DM16CCB标准恢复二极管的机械特性和主要性能参数。该二极管具有最大正向电压1.15V和反向击穿电压1600V。该文档还提供了该产品的尺寸、封装和存储要求。
lnternational IOR Rectifier IR207LM..CS02CB SERIES 数据手册 IR207LM..CS02CB是International Rectifier生产的一款快速恢复二极管，主要特点是反向击穿电压范围为200到600伏，最大正向电压为1300毫伏，可用于电源和开关电路中。
International IOR Rectifier IR2085S 数据手册 IR2085S是一种自振动半桥驱动器IC，具有50%的占空比，非常适用于36V-75V半桥DC-总线转换器。该产品还适用于输入电压没有限制的推挽变换器。每个通道的频率等于fosc，其中fosc可以通过选择RT和CT来设置，其中fosc≈1/（2*RT.CT）。死区时间可以通过正确选择CT来控制，可以在50至200纳秒范围内。在上电过程中，内部软启动增加脉冲宽度，并在整个启动周期中保持高低电平脉冲宽度匹配。IR2
International IOR Rectifier IR2085S & (PbF) 数据手册 该文档介绍了IR2085S型号的高速、100V、自振荡50%占空比、半桥驱动器的特点和特性。该产品适用于48V分布式系统中的半桥直流母线变换器，可减少零部件数量和板面空间。该产品具有集成的50%占空比振荡器和半桥驱动器，单个SO-8封装。每个通道最大可编程开关频率为500kHz。驱动电流能力为+/-1.0A，适用于低电荷MOSFET。可调节的死区时间为50纳秒至200纳秒。浮动通道设计可实现最高+100Vdc的启动电路。高低侧脉冲宽度匹配精度+/-25纳秒。具有可调节的过流保护、欠压锁定和内部软启动功能。
International IOR Rectifier IR2101(S) IR2102(S) 数据手册 IR2101/IR2102 是高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，可降至 3.3V 逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其高侧配置可运行至 600 伏。
International IOR Rectifier IR2101/IR21014/IR2102/IR21024 数据手册 IR2101/IR21014/IR2102/IR21024是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
International IOR Rectifier IR2101(S) IR2102(S) 数据手册(1) IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁定免疫CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器，用于最小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。
International IOR Rectifier IR2103(S) 数据手册 该文档介绍了IR2103(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，如浮动通道设计、可用于引导操作、抗负向瞬态电压、逻辑兼容性等。
International IOR Rectifier IR2104(S) & (PbF) 数据手册 PD60046-S是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。最大工作电压可达600V，耐负冲击电压，具有关断锁定、低压锁定功能，支持3.3V、5V和15V逻辑输入。
International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1) IR2106(4)(S) 是高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入兼容 3.3V、5V 和 15V，为电路板布局提供了灵活性。
International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1) 该文件介绍了一款名为IR2106(4)(S)的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高和低端输出通道。它可以在最高600伏的高边配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该产品具有浮动通道、适用于引导操作的设计、高峰电流缓冲级和匹配的传播延迟等特点。
lnternational IOR Rectifier IR2108(4) (S) 数据手册 IR2108(4)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器具有低驱动器电流，可实现快速翻转和低电压关断。
lnternational IOR Rectifier IR2109(4) (S)HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册 该文件介绍了一种典型的半桥驱动器，具有浮动通道、正负偏移电源、低电流上升速率、防止交叉导通等特点。
lnternational IOR Rectifier IR2106(4)(S)HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR21093是IR公司推出的一款高压高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道设计，可用于开关电源、逆变器和其他应用中。
