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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了一款名为IR2106(4)(S)的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高和低端输出通道。它可以在最高600伏的高边配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该产品具有浮动通道、适用于引导操作的设计、高峰电流缓冲级和匹配的传播延迟等特点。
文件格式: PDF
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MD5: 5AC43F2BB9876B9647D99C2BDC5FF13D
发布时间: 10 July, 2012
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连接: International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1) PDF