Philips Semiconductors High-speed dual-differential comparator/sense amp NE522 数据手册 NE522是飞利浦半导体线性产品的高速度双差分比较器/感应放大器，具有15ns最大保证的传播延迟、20µA最大输入偏置电流、TTL兼容的触发器和输出、大的电源电压范围、可从标准电源电压操作。
PHILIPS NE/SA5230 数据手册 NE5230是一款低压运算放大器，工作电压范围可达1.8V-15V，可以单电源供电或双电源供电，在后一种模式下，输出可直接接地。该器件具有低输入偏置电流、大开环增益、低功耗等特性，适用于低压应用。
PHILIPS NE/SA/AU5232 数据手册 NE/SA/AU5232是PHILIPS公司推出的一款低压、高性能、匹配的双运算放大器。它具有独特的输入和输出特性，包括输入和输出均可实现在轨到轨的操作，这对于低压应用尤其重要。输出电压在整个电源电压范围内都低于两个轨的50mV。NE/SA/AU5232能够在600 Ω负载上提供5.5 V的峰峰值电压，通常每个放大器的静态电流仅为700 µA。带宽为2.5 MHz，1%的设置时间为1.4 µs。
Philips Semiconductors Matched quad high-performance low-voltage operational amplifier NE/SA5234 数据手册 NE/SA5234是一款低压、高性能的四路运算放大器，具有输入输出电压范围宽、输出摆幅小等特点，适用于低压应用。
Philips Semiconductors Dolby ADM digital audio decoder NE5241 数据手册 NE5241是Philips Semiconductors公司生产的Dolby ADM数字音频解码器，采用双极工艺，具有低噪声、低失真、宽动态范围。NE5241主要应用于高质量的消费类数字音频设备，用于广播(或预录制)数字音频的再现。
Philips Semiconductors Voltage comparator NE527 数据手册 NE527是Philips Semiconductors生产的一款高性能模拟电压比较器，具有15ns的传播延迟、互补输出门电路、TTL或ECL兼容输出、宽的共模和差分电压范围和典型的5000倍增益。
PHILIPS Voltage comparator NE529 数据手册 NE529是一种高速模拟电压比较器，首次将先进的肖特基二极管技术与传统线性工艺相结合。它可以在单片集成电路上同时制造高速TTL门和精密线性放大器。
PHILIPS NE/SA/SE532 LM258/358/A/2904 Low power dual operational amplifiers 数据手册 LM258/358/A/2904 是一款低功耗双运算放大器，由两只独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器组成，专门设计用于在宽范围的电压下从单个电源供电。双电源供电也是可能的，并且低功率电源电流消耗与电源电压的大小无关。
CEL NE5510279A 数据手册 NE5510179A是NEC公司推出的一款3.5V GSM1800和GSM 1900手机的射频功率MOSFET。该器件采用NEC的NEWMOS技术（NEC的0.6µm WSi gate侧向MOSFET）制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在3.5V电源电压下以1.9GHz的频率提供29.5dBm的输出功率和50%的功率增益效率，或者可以在3.5V电源电压下提供29dBm的输出功率。
CEL NE5510279A 数据手册(1) NE5510279A 是一款专为 3.5V GSM1800 手机设计的 N 通道硅功率 MOSFET。它采用 NEC 的 NEWMOS 技术 (NEC 的 0.6 µm WSi 栅极横向 MOSFET) 制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在 3.5V 电源电压下输出 32dBm 输出功率，并具有 45% 的功率附加效率。
CEL NE5511279A 数据手册 NE5511279A是一款N通道硅功率LD-MOS FET，专为7.5V无线电系统的传输功率放大器而设计。该器件可在7.5V电源电压下以900MHz的频率提供40.0dBm输出功率和48%功率增益。
PHILIPS Dual high-performance operational amplifier NE/SA/SE5512 数据手册 NE/SA/SE5512是一款双通道高性能运算放大器，具有低输入偏置电流、低输入电压偏置、低输入电压噪声、高电压增益和大输出驱动能力等特点。
CEL NE5520379A 数据手册(1) NE5520279A是NEC设计的用于3.2V DCS1800手机的N通道硅功率MOSFET，最大输出功率32dBm，线性增益10dB，功率附加效率45%，工作电压2.4-6V。
CEL NE5520379A 数据手册(2) NEC's NE5520379A是一款N通道硅功率MOSFET，专为3.2V GSM900手机的发射功率放大器而设计。该器件可以在915MHz和3.2V时提供35.5dBm的输出功率，或者在2.8V时通过调节门电压作为功率控制功能以提供34.6dBm的输出功率。
CEL NE5520379A 数据手册(3) 该文档介绍了一款名为NE5520379A的N通道硅功率MOSFET，作为3.2V GSM900手机的传输功率放大器。它具有高输出功率、高线性增益和高功率添加效率等特点。
Philips Semiconductors LVDT signal conditioner NE/SA/SE5521 数据手册 NE/SA/SE5521是用于线性变量差动变压器（LVDT）和旋转变量差动变压器（RVDT）的信号调节电路。该芯片包括一个低失真、振幅稳定的正弦波振荡器，带有可编程频率，用于驱动LVDT/RVDT的主电路，一个同步解调器，将LVDT/RVDT输出幅度和相位转换为位置信息，以及一个输出放大器，用于提供解调信号的放大和滤波。
