PHILIPS BLF2048 数据手册 BLF2048是一种UHF推挽功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、出色的耐用性等特点，适用于宽带操作（HF到2.2 GHz）。主要应用于1800到2200 MHz频率范围内的PCN和PCS应用的共源类AB操作。
PHILIPS BLF244 数据手册 BLF244是一种VHF功率MOS晶体管，具有高功率增益、低噪音系数、易于功率控制、良好的热稳定性和能够承受全负载失配的特点。它采用硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管设计，主要用于VHF频率范围的大信号放大器应用。该晶体管封装在4引脚SOT123法兰信封中，并带有陶瓷盖。所有引脚与法兰隔离。可根据要求提供匹配的栅源电压（VGS）组。该产品含有氧化铍，使用时需要注意安全。
PHILIPS BLF245B 数据手册 BLF245B是Philips Semiconductors公司生产的VHF推挽功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、良好的热稳定性和卓越的可靠性等特点。
PHILIPS BLF246 数据手册 BLF246是飞利浦推出的一款功率MOS晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、易于功率控制、良好的热稳定性和全负载失配能力。应用于VHF频率范围的大信号放大器应用。
PHILIPS BLF247B 数据手册 BLF247B 是 Philips Semiconductors 生产的一款 VHF 推挽功率 MOS 晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性和能够承受全负载不匹配的特性。它适用于 VHF 频率范围的大信号应用。
PHILIPS BLF276 数据手册 BLF276是一款VHF功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、良好的热稳定性等特点。它适用于VHF频率范围内的大信号放大器应用，以50V的供电电压，在B类工作状态下可提供100W的输出功率。
PHILIPS BLF278 数据手册 BLF278是Philips Semiconductors生产的一款VHF推挽功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性和优异的可靠性。主要应用于VHF频率范围的广播发射机。
PHILIPS BLF522 数据手册 BLF522 UHF功率MOS晶体管是Philips Semiconductors公司生产的一种N沟道增强型垂直D-MOS晶体管，用于UHF频率范围的通信发射应用。该晶体管封装在6引脚SOT171法兰包裹中，带有陶瓷盖。所有引脚都与法兰隔离。
NXP BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 18 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200 是 NXP 公司生产的 200 W LDMOS 功率晶体管，用于 800 MHz 到 1000 MHz 频率的基站应用。
NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200R是NXP推出的一款200W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用，频率范围为800MHz至1000MHz。
NXP BLF6G20-110; BLF6G20LS-110 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 28 January 2008 Preliminary data sheet 1
NXP BLF6G38-50; BLF6G38LS-50 WiMAX power LDMOS transistor Rev. 01 — 12 February 2008 Preliminary data sheet 该文档介绍了一款频率范围为3400 MHz至3800 MHz的50W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用。产品具有1.23 MHz的信道带宽，9.7 dB的PAR，23%的效率以及优秀的热稳定性和可靠性。
