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IDT IDT23S05 数据手册

该文档介绍了IDT23S05 3.3V零延迟时钟缓冲器的特点和特性，包括相位锁定环时钟分配、10MHz到133MHz的工作频率、五个输出时钟、低抖动和低延迟等。

IDT IDT23S09E 数据手册

IDT23S09E是一款高性能时钟缓冲器，可在10MHz至200MHz范围内工作。它采用了内置的PLL锁相环，以确保输出时钟与输入时钟的频率和相位同步。IDT23S09E具有低抖动和低失真特性，适用于各种高速时钟分布应用。

IDT IDT23S09 数据手册

IDT23S09 是一种高速相位锁定环路（PLL）时钟缓冲器，用于高速时钟分配应用。它具有零延迟，可在10至133MHz的范围内工作。IDT23S09接受一个参考输入，并驱动两个四个低偏移时钟的输出。该设备的-1H版本在133MHz频率下具有更高的驱动能力。

IDT IDT23S08T ADVANCE INFORMATION 数据手册

IDT23S08T是一个高速相位锁定环（PLL）时钟倍频器，适用于高速时钟分配和倍频应用。它具有两个四个输出的输出端，可以通过两个选择地址进行控制。

IDT IDT23S08E 数据手册

该文件介绍了IDT23S08E 3.3V零延迟时钟倍频器的特性和特点，包括相位锁定环时钟分配、输出控制、低抖动和外部反馈等。该产品适用于10MHz到200MHz操作频率的应用。

Integrated Device Technology IDT29FCT520A IDT29FCT520B IDT29FCT520C 数据手册

DSC-4608/2是一个8位高性能寄存器，具有双2级或单4级推堆栈操作。所有寄存器都可在多路复用输出端使用。提供临时地址或数据存储。

Integrated Device Technology IDT29FCT52A/B/C IDT29FCT53A/B/C 数据手册

Integrated Device Technology, Inc. 7.1 DSC-4605/3 FAST CMOS OCTAL REGISTERED TRANSCEIVERS

Peregrine Semiconductor PE42672 DIE 数据手册

PE42672 是基于 UltraCMOS 工艺技术开发的 HaRP 增强型 SP7T RF 开关。它针对四波段 GSM 手机天线开关模块市场中的特定设计需求，可用于 GSM/EDGE/PCS/DCS/WCDMA 手机。该开关由三个 TX 端口和四个 RX 端口组成。TX1 设计用于 WCDMA，TX2 和 TX3 设计用于 GSM/ EDGE。四个对称的 RX 端口可用于 GSM/EDGE/PCS RX。片上 CMOS 解码器逻辑可实现三引脚低电压 CMOS 控制，而所有端口的高 ESD 容忍度 (1500 V)、无阻塞电容要求以及片上 SAW 滤波器过电压保护器件使其成为集成和坚固性的极致。Peregrine 的 HaRP 技术增强功能可提供高线性度和卓越的谐波性能。这是 UltraCMOS 工艺的创新功能，可提供优于 GaAs 的性能，同时具有传统 CMOS 的经济性和集成性。

Peregrine Semiconductor PE42671 DIE 数据手册

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Peregrine Semiconductor PE42660 DIE 数据手册

这是一款由佩里格林半导体公司生产的SP6T RF开关，它支持2.75V电压，可在100-3000MHz频率范围内工作。该开关采用了HaRP™技术，可提供高线性度和出色的谐波性能。

lnternational IOR Rectifier IRF2907ZS-7PPbF 数据手册

IRF2907ZS-7PPbF是International Rectifier推出的一款高性能功率MOSFET，其特点是具有超低导通电阻、175℃高工作温度、快速开关速度以及重复雪崩能力，适用于高电流高可靠性应用。

lnternational IOR Rectifier IRF2907Z IRF2907ZS IRF2907ZL 数据手册

IRF2907Z IRF2907ZS IRF2907ZL是国际整流器公司生产的一款汽车电子元器件，该元器件具有超低的导通电阻、175°C的额定工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值等特点，非常适合用于汽车应用和其他多种应用

International IOR Rectifier IRF2903Z IRF2903ZS IRF2903ZL 数据手册

本文件介绍了IRF2903Z IRF2903ZS IRF2903ZL这款汽车用MOSFET的特点特性，包括先进的加工工艺、超低的开关电阻、175°C的最大工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩等级等

International IOR Rectifier IRF2807S IRF2807L 数据手册

IRF2807S IRF2807L HEXFET® 功率 MOSFET 是一种高性能的功率器件，具有极低的导通电阻、高开关速度和鲁棒的设计。它适用于广泛的应用，包括汽车、工业和消费电子应用。

International IOR Rectifier IRF2807 数据手册

IRF2807 HEXFET®功率MOSFET是一种高效可靠的器件，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它采用先进的工艺技术，适用于各种应用领域。

International IOR Rectifier IRF2805S IRF2805L 数据手册

本文件是某公司生产的一款汽车用功率MOSFET器件的绝对最大额定值。该器件采用国际整流公司的最新工艺，具有超低的导通电阻和175℃的最大工作温度。

International IOR Rectifier IRF2805PbF 数据手册

IRF2805PbF HEXFET® Power MOSFET是International Rectifier推出的一款汽车级功率MOSFET，具有先进工艺、超低导通电阻、175℃工作温度、快速开关、重复雪崩允许等特点，适用于车载空调、ABS、电子制动、雨刮器等应用。

International IOR Rectifier IRF2804S-7P 数据手册

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International IOR Rectifier IRF2804 IRF2804S IRF2804L 数据手册

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HARRIS IRF244, IRF245, IRF246, IRF247 数据手册

IRF244, IRF245, IRF246, IRF247 是 N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors, 特点包括 14A and 13A, 275V and 250V, rDS(ON) = 0.28Ω and 0.34Ω, Single Pulse Avalanche Energy Rated, SOA is Power Dissipation Limited, Nanosecond Switching Speeds, Linear Transfer Characteristics, High Input Impedance, 275V, 250V DC Rated - 120V AC Line System Operation