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NEC μPD17072,17073 数据手册

µPD17072和17073是低电压4位单片CMOS微控制器，包含了用于组织数字调谐系统的硬件。这些微控制器具有17K架构，可以直接操作数据存储器、执行算术操作，并通过单个指令控制外围硬件。所有指令均为16位单字指令。除了I/O端口、LCD控制器/驱动器、A/D转换器和BEEP之外，还集成了可在数字调谐系统中以高达230MHz的频率工作的分频器、PLL频率合成器和中频(IF)计数器。因此，可以使用µPD17072或17073的单片芯片配置高性能、多功能的数字调谐系统。由于µPD17072和17073可以在低电压(VDD = 1.8至3.6 V)下工作，因此非常适合控制电池驱动的便携设备，如便携式收音设备、耳机立体声设备或收音机盒式录音机。

NEC μPD23C32340, 23C32380 数据手册

µPD23C32340, 23C32380是33,554,432位掩膜可编程ROM，可选择字组织(字节模式:4,194,304字节，8位，字模式:2,097,152字节，16位)。活性水平OE(输出使能输入)可以通过掩膜选项进行选择。µPD23C32340和µPD23C32380采用48引脚塑料TSOP(I)和48引脚TAPE FBGA封装。

infineon V23818-K15-Lxx Small Form Factor

V23818-K15-Lxx 是一款小尺寸光纤收发器，符合 Fibre Channel 和 Gigabit Ethernet 标准。它采用 RJ-45 风格的 LC™ 连接器系统，可通过单个 3.3 V 电源供电，功耗低，约为 650 mW。V23818-K15-Lxx 还具有光信号丢失指示器、激光禁用输入、LVPECL 差分输入和输出、AC/AC 耦合或可选的 DC/DC 耦合版本、FDA 和 IEC 激光安全合规性、小尺寸等特点。

VICOR V300B12C250B* 300Vin / 12Vout / 250Watts DC-DC Converter Module

V300B12C250B是维科的一款DC-DC转换器模块，输入范围为180-375V，输出为12V，最大输出功率为250W。

ProMos V55C2256164VB 256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16

V55C2256164VB 256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16 是V55系列的一款高性能移动SDRAM。支持高达143MHz的时钟速率，支持四通道，4Mbitx16的组织结构。

MOSEL VITELIC 1 V53C8125H ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM

V53C8125H是128K x 8位CMOS动态随机存取存储器，具有快速页模式、高数据带宽、快速可用速度和CMOS待机电流等特点。所有输入和输出都与TTL兼容。输入和输出电容显着降低，可提高系统性能。快速页模式操作允许在行内随机访问最多512列(x9)位，周期时间短至19ns。由于静态电路，CAS时钟不在关键时序路径中。流通的列地址锁存器允许地址流水线，同时放宽许多关键系统时序要求，以实现快速可用速度。这些功能使V53C8125H成为快速、可靠、低功耗的存储器。

WHITE ELECTRONIC DESIGNS WMS128K8-XXX 128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691

该文档介绍了White Electronic Designs WMS128K8-XXX 128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD的特性和特点。

Xicor X24C00 Serial E²PROM

X24C00是Xicor的128位串行E2PROM，内部组织为16 x 8。该器件具有串行接口和软件协议，可在简单的两线总线上运行。Xicor E2PROMs设计和测试用于需要扩展耐久性的应用。固有数据保留时间超过100年。X24C00采用Xicor先进的CMOS浮动栅极技术制造。

XICOR X84256 µPort Saver EEPROM

256K MPS µPort Saver EEPROM是Xicor公司推出的一款高性能EEPROM，具有25ns读取时间、10MHz的数据传输速率、低功耗、小封装等特点。

intersil X9241A Low Power/2-Wire Serial Bus Data Sheet

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intersil HUF75229P3 数据手册

这是一款Intersil HUF75229P3 44A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET，它采用了创新的UltraFET™工艺，具有极低的导通电阻，非常适合于要求功耗效率高的应用场合，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

intersil HUF75321D3, HUF75321D3S 数据手册

这份文件介绍了HUF75321D3和HUF75321D3S两款20A、55V、0.036 Ohm的N沟道功率MOSFET。这些器件使用创新的UltraFET™工艺制造，具有最低的单位面积导通电阻，性能出色。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。这些器件适用于对功率效率要求较高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池供电产品的电源管理。

intersil HUF75321P3, HUF75321S3S 数据手册

该文件介绍了HUF75321P3和HUF75321S3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特点和特性。这些器件采用先进的UltraFET工艺制造，具有极低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的电压冲击，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。

intersil HUF75329D3, HUF75329D3S 数据手册

该文件介绍了HUF75329D3和HUF75329D3S两款20A、55V、0.026欧姆的N-沟道UltraFET功率MOSFET。这些器件采用了创新的UltraFET工艺，具有最低的单位面积导通电阻，表现出卓越的性能。它们能够承受大能量的雪崩模式并且二极管具有很低的反向恢复时间和存储电荷。它们设计用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、电动机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池操作产品的功率管理。

intersil HUF75329G3, HUF75329P3, HUF75329S3S 数据手册

49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 这是Intersil Corporation生产的N通道功率MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺，具有超低的开关电阻和超高的性能，它适用于功率转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理等应用。

intersil HUF75332G3, HUF75332P3, HUF75332S3S 数据手册

这是一款60A，55V，0.019 Ohm，N-Channel UltraFET Power MOSFETs，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有非常低的反向恢复时间和存储电荷，适用于功率效率要求很高的应用，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理

FAIRCHILD HUF75332G3, HUF75332P3, HUF75332S3S 数据手册

60安培，55伏特，0.019欧姆，N通道超级FET功率MOSFET

TOREX XC6219 Series 数据手册

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TOREX XC62G Series 数据手册

XC62G系列是采用CMOS和激光修整技术制造的高精度、低功耗正电压稳压器。该系列具有高输出电流、低输入输出电压差和良好的瞬态响应特性，即使在负载变化时输出也保持稳定。同时，具有高纹波抑制比，可与低功率电源噪声一起使用。CE输入使得输出可以关闭，从而降低功耗。可提供SOT-25（150mW）和SOT-89-5（500mW）封装。

HEWLETT PACKARD XMT5370-622 数据手册

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