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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了HUF75329D3和HUF75329D3S两款20A、55V、0.026欧姆的N-沟道UltraFET功率MOSFET。这些器件采用了创新的UltraFET工艺，具有最低的单位面积导通电阻，表现出卓越的性能。它们能够承受大能量的雪崩模式并且二极管具有很低的反向恢复时间和存储电荷。它们设计用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、电动机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池操作产品的功率管理。
文件格式: PDF
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MD5: 3A67759B2411DA1032FDC893A59211A9
发布时间: 11 June, 2012
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连接: intersil HUF75329D3, HUF75329D3S 数据手册 PDF