ST M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册 M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM 和 OTP EPROM 的特点总结
ST M27V512 说明书 M27V512 512 Kbit (64Kb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM 是东芝公司生产的低电压512Kbit EPROM，具有3V到3.6V的低电压读取操作、100ns的快速访问时间、10mA的活动电流和10µA的待机电流。该产品的工作电压为12.75V ± 0.25V，编程时间为100µs/byte (typical)。
ST M29F200T M29F200B 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册 M29F200T and M29F200B are 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory. It features fast access time, fast programming time and low power consumption.
ST M29W641DH, M29W641DL M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册 M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory产品特点包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除挂起和恢复模式、解锁旁路编程命令、写保护选项、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗和电子签名
samsung SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 数据手册 M366S0924FTS is a 64MB SDRAM unbuffered DIMM based on 128Mb F-die. It supports 62/72-bit non ECC and ECC.
Samsung 512MB, 1GB, 2GB Registered DIMMs Data Sheet 该文档为512MB、1GB、2GB注册DIMMs DDR2 SDRAM DDR2注册DIMM模块240pin注册模块基于512Mb C-die 72位ECC的规格书
ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册 M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM，内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池，具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能，写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V，4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V，内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装，SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳，包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的，与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。
SGS-THOMSON M54HC251 M74HC251 8BIT SIPO SHIFT REGISTER 数据手册 M54HC251M74HC251是8位SIPO移位寄存器，工作电压范围为2V-6V，具有高速度性能和低功耗特性。
SGS-THOMSON M54HC423/423A M74HC423/423A 数据手册 M54HC423/423A和M74HC423/423A是采用硅门C2MOS技术制造的高速CMOS单稳态多谐振器。它们在保持CMOS低功耗的同时实现了与等效LSTTL相似的高速操作。具有两个触发输入，A输入（负边沿）和B输入（正边沿）。这些输入对于上升/下降信号（tr - tf - 1秒）有效。触发后，输出维持单稳态状态，持续时间由外部电阻Rx和电容Cx决定。有两个不同的脉冲宽度常数可用：K ≅ 0.46用于HC423，K ≅ 1用于HC423A。将CLR拉低会中断这种单稳态。如果下一个触发脉冲发生在单稳态
ST M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories 数据手册 M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点，主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。
ST M59DR032A M59DR032B 32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory 数据手册 该文件介绍了一款名为M59DR032A和M59DR032B的32 Mbit闪存芯片，具有低电压供应、快速编程和抹除、双存储区、块保护/解锁等特点。
RENESAS M5M29KE131BVP 说明书 M5M29KE131BVP是Renesas LSIs发布的一款134,217,728-BIT(16,777,216-WORD BY 8-BIT / 8,388,608-WORD BY 16-BIT) CMOS FLASH MEMORY Stacked-uMCP (micro Multi Chip Package)
SGS-THOMSON M54HCT00 M74HCT00 QUAD 2-INPUT NAND GATE 数据手册 M54HCT00是高速度CMOS四入NAND门，采用硅栅C2MOS技术制造，具有LSTTL的高速度性能和true CMOS的低功耗，内部电路由3级缓冲输出组成，具有高抗干扰性和稳定输出，所有输入端均配有静电放电和瞬态过压保护电路，该集成电路的输入和输出特性完全兼容54/74 LSTTL逻辑系列，M54/74HC器件设计用于直接接口HSC2MOS系统与TTL和NMOS元件。
ST M87C257 说明书 M87C257是一种高速的262,144位UV可擦除和电可编程EPROM。它具有用于最小化芯片计数、降低成本和简化多路复用总线系统设计的所有地址输入的锁存器。它提供了快速访问时间、低功耗、编程电压12.75V、自动编程电子签名和约3秒的编程时间。
Aeroflex ACT5271 64-Bit Superscaler Microprocessor 数据手册 该文件介绍了QED RM5271微处理器的特点特性，该微处理器是双发射超标量微处理器，可以在一个周期内发射一个整数指令和一个浮点指令。
AEROFLEX ACT–F2M32A 数据手册 这是eroflex Circuit Technology - Advanced Multichip Modules的产品信息，包括型号SCD1666A，是4个AMD Am29F016 16Mbit（16,777,216位）内存芯片组成的64兆字节CMOS闪存多芯片模块（MCM），设计用于全温度范围、军事、空间或高可靠性应用。
