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IDT IDT54/74FCT821AT/BT/CT、IDT54/74FCT823AT/BT/CT/DT、IDT54/74FCT825AT/BT/CT 说明书

IDT54/74FCT821AT/BT/CT, 823/825AT/BT/CT/DT是集成电路公司高性能CMOS总线接口寄存器，适用于军用和商业温度范围

本文件是IDT54/74FCT821A/B/C IDT54/74FCT823A/B/C IDT54/74FCT824A/B/C IDT54/74FCT825A/B/C HIGH-PERFORMANCE CMOS BUS INTERFACE REGISTERS的详细介绍

LM339/D是一款比较器，设计用于消费类汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平感应和存储应用。

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这是IRK系列高压功率二极管的数据手册，介绍了产品的特点特性。

M29F002T, M29F002B, M29F002NT 是2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) 单电源闪存，电压为5V ± 10%，读写时间为70ns和10µs，支持擦除、保护、暂时解除保护、冻结和恢复等功能，支持100,000次擦写循环，数据可保存20年

该文件是关于ISD i产品的介绍，详细描述了该产品的特点和特性。

ISL84762是Intersil公司推出的一款低阻抗、低电压、单供电、双单刀双掷（SPDT）模拟开关，可在单一+1.65V至+3.6V电源下工作。

ISL84782低压单供电差分4:1模拟开关具有低开关阻抗、低漏电流和高耐压。它具有精确的双向模拟开关，配置为差分4通道多路复用器/解复用器。它设计用于单一+1.6V至+3.6V电源供电。该器件具有抑制引脚，可同时打开所有信号路径。

本文件是2N2323系列硅控制整流器的技术数据，介绍了该系列产品的最大额定值、平均正向电流、正向冲击峰值电流、阴极-门极电流、工作温度范围、存储温度范围等特性。

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这份文件介绍了JR13WRA-10P供应商的特点和特性。

K4S161622D-TI/E是三星公司生产的一款1Mx16同步高数据速率动态随机存储器。该产品采用三星高性能CMOS技术，具有3.3V电源供电、LVTTL兼容性、多银行操作、MRS周期、地址键编程、突发长度、突发类型等特点。

该文档介绍了CMOS SRAM K6T1008C2E系列产品的特点和特性，包括采用SAMSUNG的先进CMOS工艺技术，支持不同的工作温度范围和封装类型，支持低数据保持电压和低数据保持电流等。

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FAN8902是FairchildSemiconductorCorporation生产的一款DC FAN电机控制器。它具有以下特点：内置PWM电流控制电路、内置5V稳压器、低供电电流、堵转电机电流限制、内置过电压保护、内置过流保护、内置负载掉电保护、内置热关断电路、内置欠压锁定电路。

该文件介绍了一款光电二极管集成电路的特点和特性，包括全CMOS七通道、集成高速光电二极管和电流到电压转移放大器等。该产品适用于DVD/CD和CD应用，具有高PD灵敏度。

KSV1401-KSV1412是硅超快调谐二极管，具有高电容比、线性调谐特性，可满足广泛的宽带应用。

该文件介绍了KTS6027-2和KTS6029-2版本2.0的无线电组件的规格。它包括了TV调谐器混频振荡器PLL与不平衡IF放大器的详细信息。

L6206是一种DMOS双全桥，适用于电机控制应用。它采用多功率-BCD技术，将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极器件集成在同一芯片上。具有热关断和非耗散式高侧功率MOSFET的过流检测以及可用于实现过流保护的诊断输出。