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AMD Am29DL800B 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

该文档介绍了Advanced Micro Devices正在开发的一款产品的信息，该产品为闪存存储器，具有同时读写操作、单电源供电、高性能和低功耗等特点。

TEXAS INSTRUMENTS XTR112 XTR1144-20mA CURRENT TRANSMITTERS with Sensor Excitation and Linearization 数据手册

XTR112和XTR114是单片式4-20mA两线制电流变送器。它们在单个集成电路上提供了高阻抗铂电阻温度传感器和桥路的完整电流激励、仪器放大器和电流输出电路。

FAIRCHILD RC7352 数据手册

该文档介绍了一种参数测量单元，具有测量电压和电流的功能，可实现电压范围为-5V至+15V，四种可编程测量电流范围，高分辨率和高准确度。

TEXAS INSTRUMENTS XTR1064-20mA CURRENT TRANSMITTER with Bridge Excitation and Linearization 数据手册

XTR106 4-20mA 电流传感器具有桥梁激励和线性化功能，特点是总不调整误差低，桥梁激励参考电压为2.5V或5V，输出电压为5.1V，跨度漂移为±25ppm/°C，偏移漂移为0.25µV/°C，PSR为110dB，CMR为86dB，供电范围为7.5V到36V，应用于压力桥传感器、应变计传感器、温度桥传感器等。

HRS HR24 SERIES DATA SHEET

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TEXAS INSTRUMENTS XTR101 Precision, Low Drift 4-20mA TWO-WIRE TRANSMITTER数据手册

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IDT IDTAS4624 Data Sheet

IDTAS4624是IDT公司的一款低压单刀双掷开关，工作电压范围为1.8V至5.5V，开关阻抗为0.5欧姆（最大）

AMIC A29L800A Series 1M X 8 Bit / 512K X 16 Bit CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

该文档介绍了A29L800A系列1M x 8位/512K x 16位 CMOS 3.0伏特只读存储器的特点和特性。

MICROCHIP 24AA256/24LC256/24FC256256KI C CMOS Serial EEPROM 数据手册

24AA256/24LC256/24FC256是由Microchip Technology Inc.生产的32K x 8 (256 Kbit) 串行电可擦拭PROM，可跨越广泛的电压范围（1.8V 至 5.5V）工作。它是为先进的低功耗应用而开发的，例如个人通信或数据采集。该器件还具有高达 64 个字节数据的页面写入能力。该器件能够对 256K 边界进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上最多放置八个器件，从而为 2 Mbit 地址空间提供支持。该器件采用标准 8 针塑料 DIP、SOIC、TSSOP、MSOP 和 DFN 封装提供。

National Semiconductor 54ACTQ32 Quiet Series Quad 2-Input OR Gate 数据手册

54ACTQ32 Quiet Series Quad 2-Input OR Gate是NATIONAL SEMICONDUCTOR公司的一款产品，它包含四个2输入OR门，利用静音系列技术来保证安静的输出切换和改进的动态阈值性能。静音系列产品还具有GTO输出控制和欠压补偿器，以及分离的地线总线，以实现卓越的ACMOS性能。

infineon HYS72D32500GR–[7F/7/8]–B HYS72D64500GR–[7F/7/8]–B HYS72D1285[20/21]GR–[7F/7]–B HYS72D128521GR–8–B Registered DDR SDRAM-Modules DDR SDRAM

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NEC ED2/EF2 SERIES DATA SHEET

ED2/EF2系列微型信号继电器,是NEC公司新推出的超低功耗继电器， 达到50mW的超低功耗，具有超高浪涌电压(FCC:1500V, 10×160µs, BELLCORE:2500V, 2×10µs) , 通过优化线圈和外形设计，使其具有体积小、重量轻、功耗低等特点.

CHIMEI 21.5wide LCD Monitor User Manual

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ST M48Z512A M48Z512AY 数据手册

M48Z512A, M48Z512AY 4 Mbit (512Kb x8) ZEROPOWER SRAM是带有电池的低功耗SRAM，支持无限写次数，在没有电源的情况下可以保持10年的数据保留。

PHILIPS BTA204S series D, E and F BTA204M series D, E and F Three quadrant triacs guaranteed commutation Data Sheet

本数据手册描述了BTA204S和BTA204M系列D、E和F三相四象限晶闸管的产品规格。这些器件适合用于有源电机控制电路或其他高感性负载。

CYPRESS CY62128 Data Sheet

该文档介绍了CY62128 128K x 8静态RAM的特性，包括工作电压、功耗、自动掉电功能等。

FPD-7024 Operation and Installation Guide

这是一款消防警报控制面板的操作和安装指南

Integrated Device Technology, Inc IDT54/74FCT240/A/C IDT54/74FCT241/A/C IDT54/74FCT244/A/C IDT54/74FCT540/A/C IDT54/74FCT541/A/C Data Sheet

该文件是IDT发布的关于IDT54/74FCT240/A/C, IDT54/74FCT241/A/C和IDT54/74FCT244/A/C的产品信息手册，介绍了产品的特点特性，包括功能、引脚、封装、速度等。

MITSUBISHI ELECTRIC M5M4V64S20ATP-8, -10, -12 MITSUBISHI LSIs 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM

M5M4V64S20ATP-8, -10, -12是三菱电气公司的64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM，具有LVTTL接口。所有输入和输出都参考CLK上升沿。M5M4V64S20ATP可实现高达125MHz的非常高速数据速率，适用于计算机系统的主存储器或图形存储器。

BSI BS616LV2013 Data Sheet

BS616LV2013是一款高性能，超低功耗CMOS静态随机存储器，可在2.4V至3.6V宽电压范围内工作。高级CMOS技术和电路技术提供了高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为0.1uA，最大访问时间为3V操作中的70/100ns。通过活动低片选(CE)、活动低输出使能(OE)和三态输出驱动器提供简易存储器扩展。BS616LV2013具有自动待机功能，当芯片未选中时，可显着降低功耗。BS616LV2013提供DICE形式、JEDEC标准44针TSOP Type II封装、JEDEC标准48针TSOP Type I封装和48球BGA封装。