INFINEON - IPP60R250CP 说明书 IPP60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg值，超低的门电荷，极高的dv/dt额定值和高峰值电流能力。它适用于硬切换的开关模式电源拓扑结构。
INFINEON - SPP20N60CFD 说明书 SPP20N60CFD是新一代高压场效应晶体管，其RDS(on)为0.22欧姆，ID为20.7安培。产品具有极低的门电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。
INFINEON - PROFET ITS428L2 说明书 PROFET® ITS428L2 是一款智能高侧功率开关，适用于工业应用。其集成了高性能的 N 通道垂直功率 MOSFET、充电泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用 Smart SIPMOS® 技术进行单片集成。
INFINEON - PROFET BTS721L1 说明书 该数据手册介绍了PROFET® BTS721L1四通道高侧功率开关的特点特性，包括过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载释放）等
INFINEON IKW25T120 说明书 IKW25T120 是英飞凌推出的一款低损耗双封装 IGBT，采用 TrenchStop 和 Fieldstop 技术，具有软、快速恢复的 anti-parallel EmCon HE 二极管。
INFINEON SPP21N50C3/SPI21N50C3/SPA21N50C3 说明书 SPP21N50C3 SPI21N50C3 和 SPA21N50C3 是 Cool MOS™ 功率晶体管，其特点是全球领先的 RDS(on) 和极低的有效电容。这些晶体管具有周期性雪崩等级、极端 dv/dt 等级、超低栅极电荷和改进的传导率。
INFINEON IPP60R299CP 说明书 IPP60R299CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款低 RonxQg、低栅极电荷、高 dv/dt 额定、高峰值电流能力的功率晶体管。
INFINEON - BFP620 数据手册 该文件介绍了BFP620 Apr-21-2004 1 NPN硅锗射频晶体管的特点和特性，适用于广泛的无线应用，特别适用于CDMA和WLAN应用。其在1.8 GHz和6 GHz时的噪声系数分别为0.7 dB和1.3 dB，最大稳定增益分别为21.5 dB和11 dB。该晶体管具有高可靠性的金属化处理。
GA-8IPE1000MK (rev.2.0) P4泰坦系列主机板 使用手册 该文档介绍了GA-8IPE1000MK(rev.2.0)主板的特点和特性，包括支持的处理器类型、内存类型和容量、主板尺寸等。
PM266A PRO/PM266A主板 使用手册 PM266A PRO/ PM266A 主板采用 VIAl® P4M266A 与 VT8235 的芯片组合，支持 Intel® Pentium® 4 前置总线到 400/ 533 MHz 的处理器，并提供 2 个可插 184 脚位 DDR 内存模块的插槽，最多可插到 2 GB 容量的内存，您可以安插 DDR266/ 200 (PC2100/ 1600) 规格的内存模块。
