INFINEON SPW52N50C3 数据手册 SPW52N50C3是一款高压MOS功率管，具有世界上最好的RDS(on)、超低门极电荷、周期性雪崩评级、极端dv/dt评级、超低有效电容和改进的导通率
INFINEON IPW60R299CP 数据手册 该文件介绍了IPW60R299CP CoolMOSTM功率晶体管的特点，包括最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt评级和高峰值电流能力。该产品符合JEDEC标准，并适用于硬开关SMPS拓扑结构。
INFINEON IPP90R1K2C3 数据手册 IPP90R1K2C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RONxQg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，针对目标应用符合JEDEC1）的资格，无铅铅镀层；符合RoHS标准；超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 专为：准谐振反飞 / 前拓扑结构；PC 银盒和消费应用；工业 SMPS 而设计。
INFINEON ITS621L1 数据手册 PROFET® ITS621L1是英飞凌推出的一款智能双通道高侧功率开关，该产品具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载回弹）等功能，可应用于工业应用中，适用于12 V和24 V直流接地负载，可替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。
INFINEON IKP03N120H2 数据手册 IKP03N120H2、IKW03N120H2是英飞凌的高性能功率半导体，适用于SMPS、Lamp Ballast、ZVS-Converter等应用。该系列产品具有温度稳定的特性，并通过了JEDEC2认证。
INFINEON TC1161/TC1162 说明书 本文件是关于 TC1161/TC1162 32-Bit Single-Chip Microcontroller TriCoreTM 的 Data Sheet
INFINEON BSP296 数据手册 BSP296 是由Infineon Technologies生产的一款N沟道增强型逻辑级功率MOSFET。其最大直流电流为1.1A，最大关断电阻为0.7Ω，最大反向二极管dv/dt为6kV/µs，最大电源耗散为1.79W。该设备采用PG-SOT-223封装，适用于-55°C至+150°C的温度范围。
INFINEON IPD50R520CP 数据手册 IPD50R520CP是一款功率晶体管，它的特点是RONxQg最低、极低的门极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰电流能力、无铅铅镀层、符合RoHS标准，并根据JEDEC1)的目标应用进行了鉴定。
INFINEON PROFET ITS612N1 数据手册 PROFET® ITS612N1 是英飞凌科技公司推出的一款智能双通道高侧功率开关，适用于工业应用。它具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载浪涌）、快速退磁感性负载、反向电池保护、欠压和过压关断、开漏诊断输出、开路负载检测、CMOS兼容输入、地和Vbb掉电保护、静电放电（ESD）保护等功能。它可用于12 V 和 24 V DC 接地的工业应用中的µC 兼容功率开关，用于所有类型的阻性、感性和电容性负载，可以替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。
INFINEON BSC022N03S 数据手册 BSC022N03S OptiMOS®2 功率晶体管是一款快速开关的SMPS，针对笔记本DC/DC转换器进行了优化。它已通过JEDEC1认证，适用于目标应用。该晶体管具有N沟道、逻辑电平、极低的导通电阻R DS(on)、优异的门极电荷x R DS(on)乘积(FOM)、卓越的热阻、雪崩额定、dv/dt额定等特点。
INFINEON SPD02N60C3 SPU02N60C3 数据手册 SPD02N60C3/SPU02N60C3是Cool MOS™系列高压功率管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和150°C工作温度等特点
eupec FS100R12KT3 说明书 本文档介绍了FS100R12KT3 IGBT模块的技术信息和特性。该模块具有最大1200V的集电极-发射极电压，最大140A的直流集电极电流，以及最大200A的周期性峰值集电极电流。此外，还提供了关于集电极饱和电压、栅极阈值电压、栅极电荷等特性的数值。该模块适用于IGBT逆变器等应用。
MICROCHIP MCP2150 IrDA Standard Protocol Stack Controller Supporting DTE Applications 说明书 该文件介绍了Microchip Technology Inc.的MCP2150产品，它实现了IrDA标准，包括多种通信协议和数据传输速率，可以与行业标准的UART和红外收发器轻松连接。
