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MITSUBISHI ELECTRIC MGF1801BT 说明书

MGF1801BT是N沟道肖特基栅极、中功率GaAs FET，用于S至X波段放大器和振荡器。该器件具有较高的线性功率增益和较高的P1dB。

该文件介绍了MGF1801B高功率GaAs FET，适用于S到X波段放大器和振荡器。具有高线性功率增益和高P1dB。适用于S到X波段中功率放大器和振荡器。

MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET，设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB，适用于微带电路。

该文档介绍了MGF0917A GaAs FET，它是一种高功率增益级放大器，适用于UHF频段放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。

MGF0916A 是 L&S BAND / 0.2W SMD non - matched 系列的产品，它的特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGF0912A是一种高功率GaAs FET，用于L/S波段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率。适用于L/S波段功率放大器。

MGF4851A是三菱电机生产的一款功率型InGaAs HEMT，应用于S到K波段放大器，具有高增益和高P1dB，典型值分别为11dB和14.5dBm。

MGF2415A是Mitsubishi Electric Corporation生产的一款GaAs FET，具有N型栅极，适用于S到Ku频段放大器。其特点是：高输出功率、高线性功率增益、高功率附加效率。

MGF1954A是三菱电机生产的一种功率GaAs FET，它被设计用于S到Ku波段功率放大器。该器件具有高增益和高P1dB，其典型值分别为5.0dB和23dBm。该器件适用于S到Ku波段低噪声放大器。

MGF1953A是三菱电气推出的一款功率场效应晶体管，适用于S到Ku波段功率放大器。

MGF1952A是三菱电机生产的一款微波功率MES FET器件，应用于S到Ku频段功率放大器中。

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MGF1451A 是 Mitsubishi Electric 公司生产的一款 GaAs MESFET 功率器件，它具有高增益和高 P1dB 特性，适用于 S 到 Ku 波段低噪声放大器中。

MGF0951P是N通道肖特基门GaAs FET，设计用于L/S波段放大器。其特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

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MGF0918A GaAs FET是带N通道肖特基栅极的GaAs FET，用于UHF频段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGF0915A是N通道肖特基栅极GaAs FET，适用于UHF频段放大器。其特点是输出功率高、增益高、附加效率高。

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本文件介绍了MGF0911A型号的高功率GaAs FET放大器。该产品适用于UHF频段放大器，具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。

MGF0910A 是 N 沟道肖特基栅 GaAs FET，设计用于 UHF 带宽放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。