三菱 RA07M1317M 说明书 该产品是6.5瓦特的RF MOSFET放大器模块，适用于在135-175MHz范围内工作的7.2伏特便携式收音机。该模块可用于非线性FM调制，但也可以通过设置栅极电压并用输入功率控制输出功率来用于线性调制。
三菱 BA01303 说明书 BA01303是一款采用InGaP HBT技术的三频段（EGSM900/DCS1800/PCS1900）前端模块，适用于手持电话。具有低电压操作、高输出功率、单电源控制终端、带选择开关、发射/接收选择开关等特点。
三菱 MGFK41A4045 说明书 MGFK41A4045是松下公司生产的一款GaAs功率FET，适用于14.0-14.5GHz波段放大器。产品具有高输出功率、高线性功率增益等特点，建议工作条件为VDS=10V、ID=3.0A、RG=50ohm。
MITSUBISHI MGFC41V5964 说明书 MGFC41V5964是5.9-6.4GHz频段内置匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为5.9-6.4GHz频段放大器而设计。该产品采用金属陶瓷密封封装，可保证高可靠性。
MITSUBISHI MGFC39V7177A 说明书 MGFC39V7177A是一种C波段的内部匹配功率GaAs FET，特别设计用于7.1-7.7 GHz频段放大器。金属陶瓷封装保证了高可靠性。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率P1dB=8W（典型值），高功率增益GLP=8.0dB（典型值），高功率增益效率P.A.E.=28%（典型值），低失真。适用于7.1-7.7 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7177A 说明书 MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFS48B212 说明书 MGFS48B2122是Mitsubishi Electric Corporation制造的60W推挽型GaAs功率FET，专为2.11-2.17GHz带宽放大器而设计。该产品具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于W-CDMA基站的2.11-2.17GHz带宽功率放大器。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFS45V2123 说明书 该数据表格为 MGFS45V2123A 的参数列表。MGFS45V2123A 是一款内阻匹配的 GaAs 功率 FET，专为 2.1-2.3 GHz 频段放大器而设计。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFL48V1920 说明书 MGFL48V1920是一款60W的推挽型GaAs功率FET，特别设计用于1.9-2.0 GHz频段放大器。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFL45V1920A 说明书 MGFL45V1920A是松下公司生产的一款功率场效应晶体管，适用于1.9-2.0GHz频段功放应用，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真等特点
