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ST L6561 POWER FACTOR CORRECTOR 数据手册

L6561是改进版L6560标准功率因数校正器。与标准版本完全兼容，具有更优秀的乘法器性能，使得该器件能够在广泛输入电压范围应用中（从85V到265V）具有出色的谐波失真率。此外，启动电流已经降低到几十微安，并在ZCD引脚上实现了禁用功能，保证了待机模式下较低的电流消耗。该芯片采用混合BCD工艺制成，具有以下优点：微功耗启动电流、1%精度的内部参考电压（Tj = 25°C）、软过压保护、无需外部低通滤波器的电流感应、非常低的静态工作电流，最小化功率耗散。双极输出级能够驱动功率MOS或IGBT，具有+/-400mA的源和汇电流。该器件在过渡模式下运行，适用于电子灯管镇流器应用、AC-DC适配器和开关电源。

ST L6571A L6571B HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR 数据手册

L6571A/B是意法半导体公司推出的高压半桥驱动器，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。内置振荡器，频率可通过外部电阻和电容进行编程。内部逻辑可保证最小死区时间，以避免功率器件交叉导通。

Microsemi HS24135 - HS24145 数据手册

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Microsemi 240 amp schottky rectifier HS24380-HS243100 数据手册1

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Microsemi 240 amp schottky rectifier HS24380-HS243100 数据手册(1)(1)

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Microsemi 240 amp schottky rectifier HS24515 数据手册

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ST L6910/L6910A 数据手册

该文件介绍了L6910和L6910A两款产品的特点和特性，包括工作电压范围、门电流能力、可调输出电压、非反相输入、电压参考、PWM控制、负载瞬态响应、功率输出、过压保护、过流保护、内部振荡器频率可调、软启动和禁止等。适用于供电存储器和终端设备、计算机扩展卡、低电压分布式DC-DC和磁铁放大替代等应用。

ST L6911B 数据手册

L6911B是一种电源控制器，专为Pentium II微处理器提供高性能的DC/DC转换。它具有5位精确的数字到模拟转换器(DAC)，可调节输出电压从1.3V到2.05V，步进为0.05V；从2.1V到3.5V，步进为0.1V。具有高精度的内部参考，数字修剪，可确保所选的输出电压在+/-1%范围内。通过窗口比较器系统，该设备提供出色的负载 transient response和稳定的输出精度。支持过电压保护和过电流保护。操作频率范围从50kHz到1MHz。满足Intel Pentium II规格。具有禁用功能。

ST L6911A 数据手册

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ST L6911C 数据手册

L6911C是L6911C-1/20的缩写，是意法半导体推出的一款降压转换器芯片。该芯片支持5V至12V的电源电压，最大驱动电流为1.3A，输出电压可通过5位编程电压进行调节，输出精度可达±1%。该芯片还支持软启动和禁止功能，可广泛应用于高性能微处理器核心、分布式电源和高功率DC-DC调节器等领域。

ST L6911D 数据手册

该产品是一款高性能的dc-dc转换器，能够为高电流微处理器提供电源。它具有5位数字到模拟转换器(dac)，可以将输出电压从1.30v到2.05v调整为50mv二进制步进，并从2.10v到3.50v调整为100mv二进制步进。高精度内部参考确保所选输出电压在±1%范围内。高峰电流门驱动可以快速切换到外部功率mos，从而降低开关损耗。该设备可以快速保护负载过流和负载过压。在发生硬过压时，外部SCR会被触发，以将输入电源短路。内部短路器也用于保护输出电压。

ST L6911E 数据手册

本文档介绍了一款名为L6911E的操作电源集成电路。该IC具有5V至12V电压总线的操作电源、高达1.3A的门电流能力、与TTL兼容的5位可编程输出以及VRM 8.5兼容的1.050V至1.825V的输出。该IC采用电压模式PWM控制，具有出色的输出精度、非常快的负载瞬态响应、电源良好输出电压、过压保护和监测以及上MOSFET的RdsON实现的过流保护。此外，该IC还具有200kHz的内部振荡器和可在50kHz至1MHz范围内外部调节的振荡器，以及软启动和禁止功能。该IC适用于先进微处理器核心的电源以及分布式电源。

ST L6917B 数据手册

该文档介绍了一款具有高性能的DC/DC转换器，可用于高电流微处理器的供电。该设备实现了具有180°相移的双相降压控制器。通过精确的5位数字模拟转换器(DAC)，可调整输出电压从1.100V到1.850V，每个二进制步长为25mV。高精度的内部参考电压确保所选的输出电压在±0.8%范围内。高峰值电流门极驱动器可实现与外部功率MOS的快速开关，从而降低开关损耗。该设备可以快速保护过载电流和过/欠压。提供了内部过压保护功能。

ST L6917 数据手册

该文件介绍了一种特定设计用于为高电流微处理器提供高性能DC/DC转换的电源控制器。该设备实现了具有每个相位之间180°相移的双相降压控制器。通过精确的5位数字到模拟转换器（DAC），可以以25mV二进制步长调整输出电压从1.100V到1.850V。高精度内部参考电压确保所选的输出电压在±0.8%范围内。高峰值电流门极驱动器可实现与外部功率MOS的快速开关，从而降低开关损耗。该设备快速保护负载过电流和过/欠压。提供内部电流限制器，通过打开低侧MOSFET的RdsON或感测电阻实现过电流保护。

EIC RM10 - RM10Z 数据手册

RM10 - RM10Z硅整流二极管具有高电流能力、高浪涌电流能力、高可靠性、低反向电流和低正向电压降等特性。

MITSUBISHI ELECTRIC RM100CA/C1A-XXF 数据手册

该文件介绍了1999年2月份生产的MITSUBISHI快恢复二极管模块RM100CA/C1A-XXF的特点和特性，适用于高速开关和隔离型应用，主要用于自由轮使用和焊接机。模块的特点包括：直流电流100A，重复峰值反向电压600/800/1000/1200V，反向恢复时间0.8µs，采用隔离型设计，通过UL认证。

ST L6917 数据手册(1)

该文档介绍了L6917电源控制器的主要特性，包括2相操作、同步整流器控制、超快速负载瞬态响应、集成高电流栅极驱动器、TTL兼容5位可编程输出、0.8%内部参考精度、10%有源电流共享精度、数字2048步软启动、过电压保护、过电流保护、300 kHz内部振荡器、振荡器外部可调至1MHz、电源良好输出和禁止功能、远程感应缓冲器等。

MITSUBISHI ELECTRIC RM100DZ/CZ-M,-H 数据手册

RM100DZ/CZ-M,-H是三菱电机生产的一款大功率通用绝缘型二极管模块，额定平均正向电流为100A，额定重复峰值反向电压为400/800V。

MITSUBISHI ELECTRIC RM100D2Z-40 数据手册

RM100D2Z-40是三菱高压中功率通用用绝缘型二极管模块，额定平均正向电流为100A，额定反向峰值电压为2000V。

MITSUBISHI ELECTRIC RM150DZ/CZ/UZ-M,-H,-24,-2H 数据手册(1)

该数据表提供了RM150DZ/CZ/UZ-M,-H,-24,-2H 高功率通用绝缘型二极管模块的详细信息。