ST STRH8N10 数据手册 该文档介绍了STMicroelectronics的STRH8N10 Rad-Hard N-channel 100 V, 6 A Power MOSFET，具有快速开关、100%雪崩测试、密封封装、70 krad TID和SEE辐射硬化等特点。
ST ST1843, ST1845 数据手册 ST1843和ST1845是耐辐射电流模式PWM控制器，提供行业标准解决方案，用于实现提供离线或DC到DC固定频率电流模式控制方案，具有最少的外部元件计数。其抗辐射性和密封包装使其成为航空航天和其他恶劣环境的理想选择。
ST 54AC164245 数据手册 这是一个关于生产中的产品的信息。该产品是一个16位收发器，支持双向电平转换，工作电压范围为3.3V至5V。具有分离的使能引脚和施密特触发输入/输出。适用于5V总线和3.3V总线之间的接口，具有高速操作和低功耗。
ST BYW81HR 数据手册 BYW81HR Aerospace 1 x 15 A and 2 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier is a high surge current capability, high avalanche energy capability, hermetic packages, and ESCC qualified rectifier.
ST STRH100N10 数据手册 STRH100N10 是 STMicroelectronics 生产的一款 100 V、48 A 的 N 沟道功率 MOSFET。该 MOSFET 具有快速开关、100% 雪崩测试、高可靠性等特点。
ST STPS40100HR 数据手册 STPS40100HR是ST公司生产的一款航空航天级肖特基整流器，其最大正向电流为2x20A，最大反向峰值电压为100V，低正向压降为0.9V，最大结温为175℃，具有可忽略的开关损耗、低电容、高反向雪崩浪涌能力和密封封装，通过ESCC5000航空航天产品规范认证，适用于航空航天及其他恶劣环境的应用。
ST 1N6642U 数据手册 1N6642U 是ST的航天级开关二极管，具有高导热材料、非常小的导通损耗、可忽略的开关损耗、极快的开关速度、低的正向压降、150krad(Si)低剂量率、3Mrad高剂量率的目标辐射资格、0.12g包装重量等特点。
ST 1N6640U 数据手册 1N6640U 0.3 A - 75 V 是 ST 公司的一款开关二极管，它具有表面贴装的密封包装、高导热材料、非常小的导通损耗、微不足道的开关损耗、极快的开关速度、低的正向电压降等特点。
ST STPS20100HR 数据手册 STPS20100HR是ST公司的1 x 20和2 x 20 A - 100 V 的航空航天肖特基整流器，具有低压降（0.8 V）、低功耗、高反向雪崩冲击能力、高可靠性等特点，适用于航空航天和其他恶劣环境。
ST 2N5401HR 数据手册 2N5401HR是ST公司生产的一款高可靠性PNP双极型晶体管，它采用TO-18和LCC-3封装，具有150V的BVCEO、0.5A的IC、60的HFE、-65°C到+200°C的操作温度范围。
ST 1N5806U 数据手册 这份文件介绍了一种用于航空航天应用的2.5A快速恢复整流器，具有表面贴装封装、高导热材料、小的导通损耗、可忽略的开关损耗、极快的开关速度、低正向电压降等特点。该产品适用于开关模式电源和高频率DC-DC变换器，例如低压高频率逆变器、自由轮或极性保护。
