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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了STMicroelectronics的STRH8N10 Rad-Hard N-channel 100 V, 6 A Power MOSFET，具有快速开关、100%雪崩测试、密封封装、70 krad TID和SEE辐射硬化等特点。
文件格式: PDF
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MD5: 010F27574D21CB7C5E7414C70D1A931D
发布时间: 08 August, 2012
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