BCV 71, BCV 72 General Purpose Transistors 数据手册 BCV 71, BCV 72 是表面贴装的 NPN 硅外延平面晶体管，封装在 SOT-23 塑料外壳中，输出功率为 250 mW。
PHILIPS 2PD1820A 数据手册 2PD1820A是一款NPN通用型晶体管，其特点是高电流（最大500mA）、低电压（最大50V）和低集电极-发射极饱和电压（最大600mV）。该晶体管适用于一般开关和放大应用，尤其适用于便携式设备。
PHILIPS 2PD2150 数据手册 该产品是PHILIPS生产的一款低压降，高电流的NPN型三极管，其封装形式为SOT89，应用范围包括DC-DC转换，MOSFET门驱动，电机控制，充电电路，电源开关等
PHILIPS 2PD601AW 数据手册 2PD601AW是PHILIPS生产的一款NPN型通用用途晶体管，具有高集电极电流（最大100mA）和低集电极-发射极饱和电压（最大500mV）的特点。适用于一般开关和放大应用。该产品采用SC-70（SOT323）塑料封装，PNP互补型号为2PB709AW。
PHILIPS BSH103 数据手册 BSH103是一款N通道增强型MOS晶体管，具有低阈值、高开关速度、无二次击穿等特点，主要应用于电源管理、DC到DC转换器、电池供电应用、逻辑块和外围之间的接口、通用开关等领域。
PHILIPS BSH101 数据手册 BSH101是PHILIPS半导体公司生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，该产品具有非常低的阈值、高速度切换和无二次击穿等特点，适用于电源管理、DC到DC转换器、电池供电应用等场合。
PHILIPS BSH102 数据手册 BSH102是飞利浦半导体生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，具有很低的阈值、高速度开关、无二次击穿等特点，适用于电源管理、DC到DC转换器、电池供电应用等场合。
PHILIPS BSH104 数据手册 BSH104是菲利普斯半导体生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，具有高速度开关、无二次击穿、直接接口到C-MOS、TTL等、非常低的阈值等特点，可广泛应用于电源管理、DC到DC转换器、通用开关等场合。
PHILIPS BSH105 数据手册 BSH105是Philips Semiconductors生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，具有非常低的阈值电压、快速开关和逻辑电平兼容等特点，适用于电池供电应用和高速数字接口。
PHILIPS BSH106 数据手册 BSH106是Philips Semiconductors生产的一种N沟道增强型MOS开关管，具有非常低的阈值电压、快速的开关速度、逻辑电平兼容性以及子微型表面贴装封装，适用于电池供电应用和高速数字接口。
PHILIPS BSH107 数据手册 BSH107是Philips Semiconductors生产的一款N沟道增强型MOS晶体管。该产品具有很低的阈值电压和极快的开关速度，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH107采用SOT457小型表面安装封装。
PHILIPS BSH111 数据手册 BSH111是恩智浦半导体生产的一款N沟道增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS™技术，具有非常快速的开关速度、低阈值电压和亚微米表面贴装封装。可应用于电池管理、高速度开关和逻辑电平转换等场合。
PHILIPS BSH112 数据手册 BSH112是PHILIPS公司生产的一款N通道增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术，具有非常快速的开关速度，逻辑电平兼容，子微型表面贴装封装，栅源ESD保护二极管等特点。
PHILIPS BSH114 数据手册 BSH114是恩智浦半导体公司生产的一款N沟道增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS™1技术，具有低导通电阻、非常快速的开关速度和表面贴装封装。应用场景包括继电器驱动器、DC/DC转换器、通用开关等。
PHILIPS BSH121 数据手册 BSH121 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N 通道增强型场效应晶体管，采用 TrenchMOS 技术，具有非常快的开关速度、低阈值电压和小型封装。它可用于电池管理、高速开关和逻辑电平转换等应用。
