TEXAS INSTRUMENTS TM2SN64EPH 2097152 BY 64-BIT TM4SN64EPH 4194304 BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES 数据手册 TM2SN64EPH和TM4SN64EPH是两款同步动态随机存储器（SDRAM）模块，可用于66MHz 4-Clock系统。它们采用单3.3V电源，支持读取延迟2和3。两款模块均支持字节读/写功能，并具有高性能范围、高速度、低噪音、低电压TTL（LVTTL）接口、支持突发间隔和突发中断操作、突发长度可编程到1、2、4和8、具有两行用于片上交错（无间隔访问）、环境温度范围为0°C到70°C、镀金接触、管道架构和使用EEPROM的串行存在检测（SPD）。
TRACO POWER DC/DC Converter TME Series 1 Watt TME系列是TracoPower公司推出的一款小型、隔离式DC/DC转换器，它采用SIP封装，体积小巧，只占用0.7cm2的板空间，输入电压范围宽，输出电压精度高，工作温度范围广，可以满足多种电子设备的供电需求。
MITSUMI RGB Video Amplifier for Monitors Monolithic IC MM1203 MM1203是三通道视频放大器，具有宽带特性，适用于高分辨率RGB彩色监视器，可独立调整每个视频放大器的增益，提供内部视频输入参考电压。
TEXAS INSTRUMENTS TMS320F2810, TMS320F2811, TMS320F2812 TMS320C2810, TMS320C2811, TMS320C2812 Digital Signal Processors 数据手册 该数据手册描述了TMS320F2810、TMS320F2811、TMS320F2812和TMS320C2810、TMS320C2811、TMS320C2812数字信号处理器的功能和使用方法。
ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1 Series 数据手册 这是一款可用于ESD保护的24和40瓦峰值功率的齐纳瞬态电压抑制器，采用SOT-23双共阳极齐纳设计，可使用单一封装保护两条独立线路
SHARP S102T01/S102T02/S202T01/S202T02 Data Sheet S102T01/S202T01/S102T02/S202T02是松下生产的低高度型固态继电器，特点是没有零交叉电路，可用于交流100V/200V电压控制
infineon HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM 本文档是关于HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM产品的数据手册。
SIEMENS 4M x 4-Bit Dynamic RAM Advanced Information HYB5116400BJ -50/-60/-70 HYB5116400BT -50/-60/-70 HYB 5116400BJ/BT 4M x 4-DRAM是一款16MBit动态随机存储器，组织为4194304字节，由4位组成。HYB 5116400BJ/BT采用亚微米CMOS硅栅极工艺技术，以及先进的电路技术，提供内部和系统用户广泛的操作余量。多路复用地址输入允许HYB 5116400BJ/BT采用标准SOJ 26/24或TSOPII-26/24塑料封装，两者均具有300 mil宽度。这些封装提供高系统互连性、高可靠性和成本效益。
intel 80C186XL/80C188XL 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS 80C186XL/80C188XL 16位高集成度嵌入式处理器，低功耗、完全静态版本的80C186/80C188
infineon HYS64D32020[H/G]DL–5–C HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules SO-DIMM DDR SDRAM 该文档介绍了HYS64D32020[H/G]DL–5–C和HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C型号的200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Module SO-DIMM DDR SDRAM的特点和特性。
Samsung S1T8825B Data Sheet S1T8825B是一款高性能的双频率合成器，具有两个集成的高频率预分频器，可在1.3 GHz的射频操作下工作。S1T8825B由模数预分频器、无死区PFD、可选择的电荷泵电流、可选择的断电模式电路、锁定检测器输出和环路滤波器的时间常数切换组成。它采用ASP5HB双CMOS工艺制造，可提供表面安装塑料封装的16-TSSOP包装。通过三线接口（CK，DATA，EN）将串行数据传输到S1T8825B。
DALLAS DS1245Y/AB 说明书 该DS1245Y/AB 1024k Nonvolatile SRAM 具有10年以上的数据保留时间，并且在掉电时可自动保护数据。它可以替代128k x 8的易失性静态RAM、EEPROM或闪存，具有无限的写入周期，并且为低功耗CMOS。读取和写入访问时间最快可达70ns。锂能量源在首次供电之前是电气断开的，以保持新鲜度。
DALLAS DS1345Y/AB 说明书 DS1345 1024k 非易失性 SRAM 具有 1,048,576 位，完全静态，非易失性 SRAM，组织为 131,072 个字节，由 8 位组成。每个 NV SRAM 都有一个自包含的锂能量源和控制电路，该电路会不断监视 VCC 以检测电源故障，并在 VCC 重新上电期间将处理器保持在复位状态。
SPANSION S29GLxxxM MirrorBit TM Flash Family S29GL256M, S29GL128M, S29GL064M, S29GL032M 256 Megabit, 128 Megabit, 64 Megabit, and 32Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um M 该文档介绍了S29GLxxxM MirrorBit TM Flash Family系列产品的特点和特性，包括单电源操作、0.23um MirrorBit工艺技术、SecSi™安全区域、灵活的扇区架构等。
