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更新: 30 September, 2023
该DS1245Y/AB 1024k Nonvolatile SRAM 具有10年以上的数据保留时间,并且在掉电时可自动保护数据。它可以替代128k x 8的易失性静态RAM、EEPROM或闪存,具有无限的写入周期,并且为低功耗CMOS。读取和写入访问时间最快可达70ns。锂能量源在首次供电之前是电气断开的,以保持新鲜度。
文件格式: PDF
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MD5: 4EEF4F56CC6DFFAF9114634C1FC465C2
发布时间: 01 June, 2012
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