HITACHI 2SK1159, 2SK1160 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1159, 2SK1160是日本三菱电机生产的一款高压开关管，它具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场合。
HITACHI 2SK1161, 2SK1162 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1161, 2SK1162是N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1163, 2SK1164 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1163, 2SK1164是东芝生产的一种高压大电流N沟道MOSFET器件，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1165, 2SK1166 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1165, 2SK1166是东芝公司生产的一款高压大电流N沟道MOSFET，适用于开关电源和DC-DC转换器，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点。
HITACHI 2SK1167, 2SK1168 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1169, 2SK1170 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1169, 2SK1170是两款高压功率开关型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
FUJI Electril 2SK1177 数据手册 该文档介绍了一款电子产品的绝对最大额定值和电气特性。该产品的型号为2SK1177，品牌未提及。它具有500V的漏极电压和250µA的漏极电流。此外，它还具有2.0-4.0V的阈值电压，30W的功耗等特性。
MONEUAL Applicable Models: G100 Series PC Case DESKTOP COMPUTER USER GUIDE 这份文档是一份桌面电脑用户指南，介绍了使用该产品时需要注意的安全问题，并提供了产品规格信息。
