VISHAY New Product Vishay Siliconix Document Number: 71167 S-02464—Rev. A, 25-Oct-00 www.vishay.com 1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si1013R/X 是Vishay Siliconix公司生产的一款P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET，具有高侧开关、低导通电阻、低阈值、快速开关速度、1.8-V操作、栅极源极ESD保护、易于驱动开关、低偏移（误差）电压等特点，适用于继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、存储器、电池供电系统、电源转换电路、负载/电源开关、手机、传呼机等设备。
MCC GBJ8005 THRU GBJ810 数据手册 GBJ8005至GBJ810是8安培玻璃过氧化物桥式整流器，工作温度范围为-55°C至+150°C，最大峰值反向电压为50至1000伏特。具有低前向电压降和高峰值前向浸泡电流等特点。
PERFORMANCE P4C150 ULTRA HIGH SPEED 1K X 4 RESETTABLE STATIC CMOS RAM P4C150是一种4096位超高速静态RAM，适用于高速缓存应用。具有清零功能、无需时钟或刷新、等访问和周期时间等特点。可通过单个5V±10%的电源供应工作。具有非常快的存取时间，可大大提高系统运行速度。
panasonic 2SK0198 (2SK198) Silicon N-Channel Junction FET 说明书 2SK0198是松下生产的一款N沟道结型场效应晶体管，具有高互导率和低噪声特性。它采用迷你型封装，可实现小型化和自动插入。
panasonic 2SK0301 (2SK301) Silicon N-Channel Junction FET 说明书 2SK0301 (2SK301) 是松下生产的一款硅N通道结型场效应晶体管，具有低噪声、高增益、高门极至漏极电压 VGDO 等特点。该晶体管主要应用于低频放大和开关电路。
panasonic 2SK601 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 该文件介绍了2SK601硅N沟道MOS FET的特点和特性，包括低导通电阻、高速开关和可直接由CMOS和TTL驱动等。该产品适用于开关应用，具有小型封装和自动插入功能。
MAXIM MAX481/MAX483/MAX485/MAX487–MAX491/MAX1487 说明书 该文档介绍了MAX481, MAX483, MAX485, MAX487–MAX491, 和MAX1487的特性，包括工作电压、供电电流、数据传输速率等
SIEMENS HITFET BTS 941 Smart Lowside Power Switch HITFETBTS 941 Smart Lowside Power Switch 是一款逻辑电平输入、具有ESD保护、过温保护、过载保护、短路保护、过压保护、电流限制功能的产品，最大电流可通过外部电阻进行调节。
panasonic 2SK0614 (2SK614) Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK0614是低压小功率N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度和可以直接由CMOS和TTL驱动的特点。
DIODES SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A 数据手册 该文件介绍了SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A系列表面贴装瞬态电压抑制器的特点和特性，包括最大耐受电压、峰值脉冲功率耗散、峰值前向浪涌电流等。
Microsemi 1N821UR thru 1N829AUR-1 Data Sheet 1N821UR至1N829AUR-1系列的表面贴装零温度系数参考二极管提供了6.2伏和6.55伏的标称电压和温度系数，最低可达0.0005%/摄氏度，当工作电流为7.5毫安时，电压随温度的变化极小。这些玻璃表面贴装DO-213AA（MELF）参考二极管也可选择性地带有内部冶金键合，通过添加“-1”后缀。这种键合稳定的Zener封装结构也可在JAN、JANTX和JANTXV军规认证中获得。Microsemi还提供多种其他电压高达200伏的Zener参考二极管产品。
Diotec P6 SMBJ 6.5 ... P6 SMBJ 170CA P6 SMBJ 6.5.170CA 表面安装单向和双向瞬态电压抑制二极管具有 600 W 的脉冲功率耗散和 6.5.170 V 的最大阻挡电压。
