FAIRCHILD FQPF140N03L 说明书(1) 这份文档介绍了FQPF140N03L型号的30V逻辑N沟道MOSFET产品的特点。该产品采用Fairchild的专有DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能以及能够承受高能量脉冲的特点。适用于低压应用，如DC/DC转换器、便携式和电池操作产品的高效能开关电源管理。
FAIRCHILD FQP15P12/FQPF15P12 说明书 这份文件介绍了FQP15P12/FQPF15P12型号的P-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低电压应用、低开关电阻、快速开关、高温耐受等。
FAIRCHILD FQPF19N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF19N10 100V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，该晶体管具有低导通电阻、高开关性能和高能量脉冲承受能力。该晶体管适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用场合。
FAIRCHILD FQP18N20V2/FQPF18N20V2 说明书 FQP18N20V2/FQPF18N20V2是Fairchild生产的一种N通道增强型功率场效晶体管，具有低压降、高开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于汽车、高效率DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF17P10 说明书(1)(1) FQPF17P10是Fairchild公司生产的一种P通道MOSFET，其特点是低RDS(on)、低gate charge、低Crss、快开关、100% avalanche tested、改善的dv/dt capability、175°C maximum junction temperature rating。
FAIRCHILD FQPF17P06 说明书(1)(1) 该文档介绍了Fairchild公司生产的FQPF17P06 60V P-Channel MOSFET的特点和特性，采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效率开关电源管理。
FAIRCHILD FQPF17P10 说明书(1) FQPF17P10是一款P-Channel MOSFET功率场效应晶体管，具有低电流、低电压、快速开关等特点，适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQPF17P06 说明书(1) 该产品是一款60V P型MOSFET，具有-12A、-60V、RDS(on) = 0.12Ω @VGS = -10 V、低门极电荷（典型值为21 nC）、低Crss（典型值为80 pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点
FAIRCHILD FQPF17N08L 说明书(1)(1) FQPF17N08L是Fairchild Semiconductor International生产的80V逻辑N通道MOSFET。该器件具有低阻态电阻、高效率开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车、DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF17N08L 说明书(1) FQPF17N08L 是一款由 Fairchild Semiconductor International 生产的 80V N-Channel 逻辑 MOSFET。该器件采用了 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。FQPF17N08L 适用于汽车、DC/DC 转换器的高效率开关和 DC 电机控制等低压应用。
