FAIRCHILD FQPF12N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12N60是一种高效的开关模式电源供应器，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。
FAIRCHILD FQP12N60C/FQPF12N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP12N60C/FQPF12N60C是Fairchild生产的600V N型MOSFET，具有12A的最大电流、0.65欧姆的导通电阻、21皮法的电容以及48纳安的栅极电荷，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑的电子灯บัลลาสต์等应用
FAIRCHILD FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET 是飞利浦半导体公司生产的一种增强型功率场效应晶体管，采用飞利浦公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、100% 雪崩测试和改进的dv/dt 能力等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑结构电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF12P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12P10是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，它具有低门控电荷、低导通电阻、快速开关、100%浪涌测试等特点，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用。
FAIRCHILD FQPF12P20 200V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International生产的FQPF12P20 200V P-Channel MOSFET的特点和特性，采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，非常适用于高效率的开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQPF12P20 200V P-Channel MOSFET 数据手册 这是一份关于 FQPF12P20 的技术资料，介绍了该产品的特点特性，包括 on-state resistance, switching performance, avalanche and commutation mode, efficiency, gate charge, Crss, fast switching, avalanche tested, dv/dt capability 等
FAIRCHILD FQPF13N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQPF13N06型号的N-Channel MOSFET产品。该产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如DC/DC转换器、便携式和电池操作产品的高效率开关控制。
FAIRCHILD FQPF13N06L Data Sheet(1) FQPF13N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力等特点，适用于DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效率开关电源等应用。
FAIRCHILD FQPF13N06L Data Sheet(1)(1) 这份文件介绍了FQPF13N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和能够承受高能量脉冲的能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQPF13N06L Data Sheet(2) FQPF13N06L是Fairchild Semiconductor生产的60V逻辑N通道MOSFET，其特点是具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用场景。
FAIRCHILD FQPF13N10 说明书 FQPF13N10是100V N通道MOSFET，具有8.7A的连续电流、100V的漏源电压、0.18Ω的开关电阻，并且具备低门极电荷和低栅极电容，具有100%的雪崩测试和175°C的最大结温。
FAIRCHILD FQPF13N10L 说明书(1)(1) 该文件介绍了FQPF13N10L型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、能够承受高能量脉冲以及改进的dv/dt能力。该器件适用于低电压应用，如高效率开关式DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQPF13N10L 说明书(1) 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International于2000年12月发布的FQPF13N10L QFET产品。该产品是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该产品具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲下的耐受能力，非常适用于低电压应用，如高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制等。
FAIRCHILD FQP13N50/FQPF13N50 说明书 该文档介绍了FQP13N50/FQPF13N50型号的500V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括最小导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲耐受能力等。适用于高效开关电源、功率因数校正和半桥电子灯镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP13N50C/FQPF13N50C 说明书 FQP13N50C/FQPF13N50C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种500V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQP13N50CF / FQPF13N50CF 500V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了FQP13N50CF / FQPF13N50CF型号的500V N-Channel MOSFET的特点，包括13A的额定电流、低门电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FQPF140N03L 说明书 FQPF140N03L是飞兆半导体推出的一款30V逻辑N沟道MOSFET，其特点包括低导通电阻、高效率开关、优良的浪涌电流承受能力，适用于低压应用场合如DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的功率管理等
