INFINEON BSP 315 P 数据手册 Page 1 BSP 31 BSP 315 P SIPMOS Small-Signal-Transistor，是一款 P-Channel，Enhancement mode，Avalanche rated，Logic Level，dv/dt rated的电子元器件。
eupec FS100R12KT3 说明书 本文档介绍了FS100R12KT3 IGBT模块的技术信息和特性。该模块具有最大1200V的集电极-发射极电压，最大140A的直流集电极电流，以及最大200A的周期性峰值集电极电流。此外，还提供了关于集电极饱和电压、栅极阈值电压、栅极电荷等特性的数值。该模块适用于IGBT逆变器等应用。
MICROCHIP MCP2150 IrDA Standard Protocol Stack Controller Supporting DTE Applications 说明书 该文件介绍了Microchip Technology Inc.的MCP2150产品，它实现了IrDA标准，包括多种通信协议和数据传输速率，可以与行业标准的UART和红外收发器轻松连接。
INFINEON SPP11N60CFD Cool MOS Power Transistor 说明书 SPP11N60CFD 是一款高压功率晶体管,具有新颖的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷
技嘉 GA-8S661GXMP(-C) Intel Pentium 4 Socket 478 处理器主机板 使用手册 GA-8S661GXMP(-C)是技嘉科技生产的一款主板，支持英特尔奔腾4处理器，采用了SiS 661GX主芯片组，支持DDR内存，拥有8个USB接口，3个PCI插槽，2个AGP插槽。
INFINEON SPP15N65C3 CoolMOS Power Transistor 说明书 SPP15N65C3 CoolMOS功率晶体管的特征包括低栅极电荷、极端dv/dt额定值和高峰值电流能力。该产品通过JEDEC1)认证，适用于目标应用，并符合铅无铅铅镀层和RoHS要求。CoolMOS C3设计用于笔记本电源适配器。
INFINEON SPW11N60S5 Cool MOS ower Transistor 说明书 SPW11N60S5是Cool MOS™大功率三极管，其特点是新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON BFS17P NPN Silicon RF Transistor 说明书 该文件介绍了2005年11月17日发布的一款NPN硅射频晶体管BFS17P，可用于1 GHz以下的宽带放大器，集电流范围为1 mA至20 mA，静电敏感设备，需要注意操作预防。
INFINEON IPA50R199CP CoolMOS ower Transistor 说明书 IPA50R199CP是CoolMOSTM功率晶体管，特点是RON x Qg最小，栅极电荷极低，dv/dt额定值极高，峰值电流能力高，符合RoHS标准。应用领域包括硬开关和软开关SMPS拓扑、CCM PFC、ATX、笔记本适配器、PDP和LCD电视。
INFINEON IKW08T120 说明书 IKW08T120 是 Infineon 公司生产的一种 IGBT 器件，该器件采用了 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术，具有软恢复和快速恢复的特性，适用于频率转换器和不间断电源等应用场合。
INFINEON PROFET BTS 6133D Smart Highside Power Switch 说明书 该文件是关于PROFET® BTS 6133D 的数据表，产品具有反向电池保护、反向操作、短路保护、电流限制、过载保护、热关断、过压保护、失去接地保护、失去Vbb保护、低待机电流、快速退磁等功能。
INFINEON BAS116... Silicon Low Leakage Diode 说明书 该文件介绍了BAS116硅低漏电二极管的特点和特性，适用于低漏电应用和中等速度的开关时间。它具有80V的反向电压和250mA的正向电流。另外，该二极管具有较低的反向电流和快速的反向恢复时间。
INFINEON BTS 4141N Smart High-Side Power Switch 说明书 BTS 4141N 是德国公司 Infineon 生产的一种高侧功率开关器件，具有短路保护、过流保护、过载保护、过压保护、欠压关断、开关电感负载、输出负压钳位、CMOS 兼容输入、热关断、ESD 保护、掉电、低待机电流、外部电阻反向电池保护等功能
INFINEON IKP15N60T 说明书 该文件介绍了IKP15N60T TrenchStop®系列的功率半导体器件，具有低损耗、快速恢复反并联EmCon HE二极管。产品具有很低的VCE(sat)值，最高结温175°C，短路承受时间为5微秒。适用于频率转换器和不间断电源等应用。采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有参数分布紧密、高韧性、温度稳定性好、开关速度快等特点。
INFINEON SDT12S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书 SDT12S60是世界上第一个600V肖特基二极管，采用革命性的半导体材料——碳化硅，具有卓越的开关特性，无反向恢复，无温度影响，无正向恢复
INFINEON BSP129 SIPMOS mall-Signal-Transistor 说明书 BSP129是一款N通道、耗尽模式、dv /dt额定小信号晶体管，可在线提供VGS(th)指示器。它符合RoHS，具有无铅焊锡。
