INFINEON IPP90R1K2C3 数据手册 IPP90R1K2C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RONxQg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，针对目标应用符合JEDEC1）的资格，无铅铅镀层；符合RoHS标准；超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 专为：准谐振反飞 / 前拓扑结构；PC 银盒和消费应用；工业 SMPS 而设计。
INFINEON SPP11N65C3 数据手册 该文件介绍了SPP11N65C3, SPA11N65C3和SPI11N65C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩能力、极限dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导等。
INFINEON BFP193W 数据手册 该文件介绍了2005-09-29 BFP193W 1 NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于低噪声、高增益放大器和线性宽带放大器，频率范围为2 GHz，fT = 8 GHz，在900 MHz处增益为1 dB。
LINEAR TECHNOLOGY LT1815 LT1816/LT1817 数据手册 1 LT1815 LT1816/LT1817 181567fa 单/双/四 220MHz, 1500V/µs 可编程电源电流的运算放大器具有出色的 DC 性能。
INFINEON ITS621L1 数据手册 PROFET® ITS621L1是英飞凌推出的一款智能双通道高侧功率开关，该产品具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载回弹）等功能，可应用于工业应用中，适用于12 V和24 V直流接地负载，可替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。
INFINEON IKP03N120H2 数据手册 IKP03N120H2、IKW03N120H2是英飞凌的高性能功率半导体，适用于SMPS、Lamp Ballast、ZVS-Converter等应用。该系列产品具有温度稳定的特性，并通过了JEDEC2认证。
INFINEON TC1161/TC1162 说明书 本文件是关于 TC1161/TC1162 32-Bit Single-Chip Microcontroller TriCoreTM 的 Data Sheet
INFINEON IDT16S60C 数据手册 IDT16S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT公司生产的一款高性能的肖特基二极管，具有开关行为基准、无反向恢复/无正向恢复、无温度影响的开关行为、高浪涌电流能力等特点。
INFINEON SPU01N60C3 数据手册 SPU01N60C3 SPD01N60C3 是一款新型高压 MOS 功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、超低有效电容和改进的导通率。
INFINEON SGP10N60A, SGB10N60A SGW10N60A 数据手册 该文件介绍了SGP10N60A、SGB10N60A和SGW10N60A三种快速IGBT产品的特点和特性。这些产品采用NPT技术，具有较低的Eoff和导通损耗，适用于电机控制和逆变器应用。NPT技术使得这些产品具有非常紧密的参数分布、高强度和温度稳定性，并且可以进行并联开关。具体的产品参数和PSpice模型可以在相关网站上找到。
INFINEON PROFET ITS612N1 数据手册 PROFET® ITS612N1 是英飞凌科技公司推出的一款智能双通道高侧功率开关，适用于工业应用。它具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载浪涌）、快速退磁感性负载、反向电池保护、欠压和过压关断、开漏诊断输出、开路负载检测、CMOS兼容输入、地和Vbb掉电保护、静电放电（ESD）保护等功能。它可用于12 V 和 24 V DC 接地的工业应用中的µC 兼容功率开关，用于所有类型的阻性、感性和电容性负载，可以替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。
INFINEON BSP 317 P 数据手册 BSP317P SIPMOS是德州仪器推出的一款N沟道增强型逻辑级MOS管，其最大漏极电压为-250V，最大耗散功率为1.8W，最大工作温度为-55-150℃
