飞利浦说明书大全

BFS25A NPN 5 GHz wideband transistor 是一款低功耗、低噪声的 SOT323 封装 NPN 晶体管，专为在信号频率高达 2 GHz 的寻呼机和口袋电话中的射频放大器和振荡器中使用而设计。

文件类型: PDF 大小:130 KB

该文件介绍了BFS20W型号的NPN中频晶体管的特点和特性，包括低电流、低电压和非常低的反馈电容等。该晶体管适用于厚薄膜电路中的IF和VHF应用。

文件类型: PDF 大小:58 KB

LM139/239/239A/339/339A/LM2901/MC 3302是一款四通道电压比较器，适用于单电源和双电源供电。具有宽范围的单电源电压和双电源电压输入，低功耗，低输入偏置电流和偏移电压等特点。

文件类型: PDF 大小:79 KB

BC369是飞利浦半导体公司的PNP中功率晶体管，具有高电流（最大1 A）和低电压（最大20 V）的特点。应用于一般用途的开关和放大以及功率应用，如音频输出级。

文件类型: PDF 大小:47 KB

2N7002F是一款使用TrenchMOS™技术的N沟道增强型场效应晶体管，适用于中速开关应用。其特点是采用了TrenchMOS™技术，具有非常快的开关速度，与逻辑电平兼容，并采用了超小尺寸的表面贴装封装。

文件类型: PDF 大小:117 KB

该文件介绍了一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS™技术并封装在塑料包装中。该产品具有逻辑电平阈值兼容、非常快速的开关速度等特点，适用于逻辑电平转换器、高速线路驱动器等应用。

文件类型: PDF 大小:82 KB

该文档介绍了Philips Semiconductors Triacs MAC223A8X产品的特点特性，该产品具有高双向瞬态和阻断电压能力以及高热性能，适用于需要高电压和高温性能的应用，如电机控制、工业和家庭照明、加热和静态开关等。

文件类型: PDF 大小:51 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该文件介绍了BC817DS型号的NPN晶体管的特点和特性，包括高电流、总功耗、适用于通用开关和放大、推挽放大器以及多相步进电机驱动器等应用。

文件类型: PDF 大小:64 KB

BC817DPN是NPN/PNP通用晶体管，具有高电流（500mA）和600mW的总功耗，可替代两个SOT23封装晶体管在同一PCB区域使用。

文件类型: PDF 大小:80 KB

该文件介绍了BC807DS产品的特点和特性，包括高电流、总功率耗散、替代两个SOT23封装的晶体管等。

文件类型: PDF 大小:55 KB

BFT93W是飞利浦半导体公司生产的一款PNP型晶体管，适用于2GHz以下的宽带应用。

文件类型: PDF 大小:135 KB

BFT46是一种N沟道硅FET，适用于厚薄膜电路中的低电平通用放大器。

文件类型: PDF 大小:60 KB

BFT45是飞利浦半导体公司生产的一款PNP高压晶体管，其特点是低电流（最大500mA）和高电压（最大250V）。该晶体管适用于高压开关和放大，以及工业和电话应用。

文件类型: PDF 大小:53 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该文档介绍了BFT25产品的规格和特性。BFT25是一款NPN型2 GHz宽带晶体管，主要用于RF低功率放大器。它具有低功耗、宽带性能好和低噪声等特点。

文件类型: PDF 大小:64 KB

BSH301是一种双N沟道增强型MOS晶体管，具有40mΩ的导通电阻和RDSon电压降至1.8V的特点。适用于锂离子安全开关和电源管理等应用。

文件类型: PDF 大小:38 KB

BSH299是飞利浦半导体生产的P通道增强型MOS晶体管，具有低阈值电压、高速度开关、无二次击穿等特点。广泛应用于电源管理、电池供电应用（如手机）和通用开关等领域。

文件类型: PDF 大小:97 KB

BSH207是一款P通道增强模式MOS晶体管，具有非常低的阈值电压和快速开关特性，适用于电池供电应用和高速数字接口。

文件类型: PDF 大小:158 KB

BSH206是一款P通道增强型MOS晶体管，具有低阈值电压、快速开关和逻辑电平兼容等特点，适用于电池供电应用和高速数字接口。

文件类型: PDF 大小:147 KB