Fairchild说明书大全

FDP8870是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，额定电压为30V，额定电流为156A，其特点是导通电阻低（4.1mΩ），开关速度快

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这份文件介绍了一款N沟道逻辑电平功率MOSFET，专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率而设计。这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的门电荷，比其他具有相似RDS（on）规格的MOSFET更容易和更安全地驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。

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该文档介绍了Fairchild半导体公司生产的FDP75N08 75V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括75A的电流、0.011Ω的RDS(on)、低栅极电荷和低Crss等。

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该文档是关于FDP7045L和FDB7045L两个型号MOSFET产品的参数信息

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FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款低RDS(ON)、低门极电荷、高开关速度的N沟道逻辑级MOSFET，采用TO-220 FDP系列和TO-263AB FDB系列封装。

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FDP7030L和FDB7030L是Fairchild生产的高密度DMOS N通道逻辑级增强型功率场效应晶体管。这些器件非常适合低压应用，如DC/DC转换器和开关电源。

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FDP6670S/FDB6670S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™是Fairchild Semiconductor Corporation发布的具有低RDS(ON)和低门极电荷的30V MOSFET，适用于同步DC:DC电源中作为低侧开关。

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该文档为FDP6676S/FDB6676S的数据手册，介绍了该产品的特点特性，包括产品型号、封装、引脚、典型应用电路、特性参数等。

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FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™ 是用于同步 DC:DC 电源的 N 沟道 MOSFET，该 MOSFET 设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低 RDS(ON) 和低栅极电荷。

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FDP6670AS/FDB6670AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™是一种用于同步DC:DC电源的MOSFET。它通过提供低RDS(ON)和低栅极电荷，最大限度地提高电源转换效率。

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FDP6670AL/FDB6670AL是一款逻辑级MOSFET，具有快速开关和低栅极电荷的特点，非常适合设计高效率的DC/DC电源。

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该文件介绍了一种30V N沟道功率MOSFET，该MOSFET设计用于在同步DC:DC电源中替代单个MOSFET和并联的肖特基二极管。它具有低RDS(ON)和低栅极电荷，可最大限度地提高功率转换效率。此外，该MOSFET还包括一个使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

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本文件是关于FDP6644/FDB6644 30V N-Channel PowerTrench MOSFET的技术手册。该器件具有50A、30V、RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V、RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5 V、低栅极电荷（27 nC 典型值）、快速开关速度、高性能沟槽技术，用于极低 RDS(ON) 的DC/DC电源设计。

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FDP603AL/FDB603AL是Fairchild生产的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，具有极低的RDS(ON)，最大结温为175°C。

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FDP6035L/FDB6035L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低压应用的N沟道逻辑级增强型功率场效应晶体管，其特点是低导通电阻，快开关速度，低线损和抗瞬变性

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FDP6035AL/FDB6035AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道逻辑级MOSFET，它具有48 A，30 V RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V，Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature，High performance trench technology for extremely low RDS(ON)，175°C maximum junction temperature rating等特点。

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FDB6030L是Fairchild生产的N通道逻辑级增强型功率场效应晶体管，具有低栅极电荷（典型值为34 nC）、低Crss（典型值为175 pF）和快速开关速度。该器件适用于需要快速开关、低在线功耗和抗瞬态干扰的低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路。

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FDP6030BL/FDB6030BL是一种N沟道逻辑电平功率场效应晶体管，具有40A、30V的特点。它采用高性能沟道技术，具有极低的导通电阻。具有175°C的最大结温额定值。

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