飞利浦说明书大全

BSH207是一款P通道增强模式MOS晶体管，具有非常低的阈值电压和快速开关特性，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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BSH206是一款P通道增强型MOS晶体管，具有低阈值电压、快速开关和逻辑电平兼容等特点，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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BSH205是Philips Semiconductors推出的一款低阈值电压、快速开关的P-通道增强型MOS晶体管，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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BSH203是一款P通道增强型MOS晶体管，具有非常低的阈值电压和快速的开关速度，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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该文件介绍了Philips Semiconductors的P-channel增强模式BSH202 MOS晶体管的特点和特性。该晶体管具有低阈值电压、快速开关速度和逻辑电平兼容性等特点，非常适用于电池供电应用和高速数字接口。

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Philips BSH201 MOS晶体管是一款低阈值电压、快速开关、逻辑电平兼容的P沟道增强型场效应功率晶体管，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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BSH121 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N 通道增强型场效应晶体管，采用 TrenchMOS 技术，具有非常快的开关速度、低阈值电压和小型封装。它可用于电池管理、高速开关和逻辑电平转换等应用。

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BSH114是恩智浦半导体公司生产的一款N沟道增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS™1技术，具有低导通电阻、非常快速的开关速度和表面贴装封装。应用场景包括继电器驱动器、DC/DC转换器、通用开关等。

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BSH112是PHILIPS公司生产的一款N通道增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术，具有非常快速的开关速度，逻辑电平兼容，子微型表面贴装封装，栅源ESD保护二极管等特点。

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BSH111是恩智浦半导体生产的一款N沟道增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS™技术，具有非常快速的开关速度、低阈值电压和亚微米表面贴装封装。可应用于电池管理、高速度开关和逻辑电平转换等场合。

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BSH108是N沟道增强型场效应晶体管。它使用TrenchMOS™1技术，具有很高的开关速度。它可以用于电池管理、高速度开关、低功耗DC到DC转换器等应用。

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BSH107是Philips Semiconductors生产的一款N沟道增强型MOS晶体管。该产品具有很低的阈值电压和极快的开关速度，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH107采用SOT457小型表面安装封装。

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BSH106是Philips Semiconductors生产的一种N沟道增强型MOS开关管，具有非常低的阈值电压、快速的开关速度、逻辑电平兼容性以及子微型表面贴装封装，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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BSH105是Philips Semiconductors生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，具有非常低的阈值电压、快速开关和逻辑电平兼容等特点，适用于电池供电应用和高速数字接口。

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BSH104是菲利普斯半导体生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，具有高速度开关、无二次击穿、直接接口到C-MOS、TTL等、非常低的阈值等特点，可广泛应用于电源管理、DC到DC转换器、通用开关等场合。

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BSH102是飞利浦半导体生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，具有很低的阈值、高速度开关、无二次击穿等特点，适用于电源管理、DC到DC转换器、电池供电应用等场合。

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BSH101是PHILIPS半导体公司生产的一款N沟道增强型MOS晶体管，该产品具有非常低的阈值、高速度切换和无二次击穿等特点，适用于电源管理、DC到DC转换器、电池供电应用等场合。

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BSH103是一款N通道增强型MOS晶体管，具有低阈值、高开关速度、无二次击穿等特点，主要应用于电源管理、DC到DC转换器、电池供电应用、逻辑块和外围之间的接口、通用开关等领域。

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该文件介绍了2PD602A型号的NPN通用晶体管的特点和特性，包括高电流和低电压，适用于通用开关和放大应用。

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2PD601AW是PHILIPS生产的一款NPN型通用用途晶体管，具有高集电极电流（最大100mA）和低集电极-发射极饱和电压（最大500mV）的特点。适用于一般开关和放大应用。该产品采用SC-70（SOT323）塑料封装，PNP互补型号为2PB709AW。

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