飞利浦说明书大全
PHILIPS BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor 数据手册
BFS505是飞利浦生产的一款NPN 9GHz宽带晶体管,具有低电流消耗、高功率增益、低噪声系数、高转换频率、金属化确保优异可靠性和SOT323封装等特点。
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PHILIPS BFS25A NPN 5 GHz wideband transistor 数据手册
BFS25A NPN 5 GHz wideband transistor 是一款低功耗、低噪声的 SOT323 封装 NPN 晶体管,专为在信号频率高达 2 GHz 的寻呼机和口袋电话中的射频放大器和振荡器中使用而设计。
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PHILIPS BFS20W NPN medium frequency transistor 数据手册
该文件介绍了BFS20W型号的NPN中频晶体管的特点和特性,包括低电流、低电压和非常低的反馈电容等。该晶体管适用于厚薄膜电路中的IF和VHF应用。
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PHILIPS LM139/239/239A/339/339A/LM2901/MC 3302 Quad voltage comparator 数据手册
LM139/239/239A/339/339A/LM2901/MC 3302是一款四通道电压比较器,适用于单电源和双电源供电。具有宽范围的单电源电压和双电源电压输入,低功耗,低输入偏置电流和偏移电压等特点。
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飞利浦 BC369 数据手册
BC369是飞利浦半导体公司的PNP中功率晶体管,具有高电流(最大1 A)和低电压(最大20 V)的特点。应用于一般用途的开关和放大以及功率应用,如音频输出级。
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飞利浦 2N7002F 数据手册
2N7002F是一款使用TrenchMOS™技术的N沟道增强型场效应晶体管,适用于中速开关应用。其特点是采用了TrenchMOS™技术,具有非常快的开关速度,与逻辑电平兼容,并采用了超小尺寸的表面贴装封装。
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飞利浦 2N7002E 数据手册
该文件介绍了一种N沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用TrenchMOS™技术并封装在塑料包装中。该产品具有逻辑电平阈值兼容、非常快速的开关速度等特点,适用于逻辑电平转换器、高速线路驱动器等应用。
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Philips Semiconductor MAC223A8X 数据手册
该文档介绍了Philips Semiconductors Triacs MAC223A8X产品的特点特性,该产品具有高双向瞬态和阻断电压能力以及高热性能,适用于需要高电压和高温性能的应用,如电机控制、工业和家庭照明、加热和静态开关等。
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PHILIPS BC817DS NPN general purpose double transistor 数据手册
该文件介绍了BC817DS型号的NPN晶体管的特点和特性,包括高电流、总功耗、适用于通用开关和放大、推挽放大器以及多相步进电机驱动器等应用。
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PHILIPS BC817DPN NPN/PNP general purpose transistor 数据手册
BC817DPN是NPN/PNP通用晶体管,具有高电流(500mA)和600mW的总功耗,可替代两个SOT23封装晶体管在同一PCB区域使用。
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philips BC807DS PNP general purpose double transistor 数据手册
该文件介绍了BC807DS产品的特点和特性,包括高电流、总功率耗散、替代两个SOT23封装的晶体管等。
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PHILIPS BFT45 数据手册
BFT45是飞利浦半导体公司生产的一款PNP高压晶体管,其特点是低电流(最大500mA)和高电压(最大250V)。该晶体管适用于高压开关和放大,以及工业和电话应用。
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PHILIPS BFT25 数据手册
该文档介绍了BFT25产品的规格和特性。BFT25是一款NPN型2 GHz宽带晶体管,主要用于RF低功率放大器。它具有低功耗、宽带性能好和低噪声等特点。
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PHILIPS BSH301 数据手册
BSH301是一种双N沟道增强型MOS晶体管,具有40mΩ的导通电阻和RDSon电压降至1.8V的特点。适用于锂离子安全开关和电源管理等应用。
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PHILIPS BSH299 数据手册
BSH299是飞利浦半导体生产的P通道增强型MOS晶体管,具有低阈值电压、高速度开关、无二次击穿等特点。广泛应用于电源管理、电池供电应用(如手机)和通用开关等领域。
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