内存 - 第2页

intel W18/W30 SCSP 数据手册

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金士顿 KVR1333D3D8R9S/4G 说明书

该文件描述了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），注册w /奇偶校验，2Rx8，ECC内存模块，基于十八个256M x 8位DDR3-1333 FBGA组件。SPD已编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序9-9-9，电压为1.5V。这款240针DIMM使用金接触指。电气和机械规格如下：

金士顿 KVR1333D3N9K2/4G 说明书

KVR1333D3N9K2/4G 4GB (2GB 2Rx8 256M x 64-Bit x 2 pcs.) PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM Kit 是 ValueRAM 的一款内存模组，采用 JEDEC 标准的 1.5V 电源，支持 DDR3-1333 时序，并具有 8 个独立内部银行。

金士顿 KHX2133C10D3W1K2/4GX内存 说明书

KHX2133C10D3W1K2/4GX 4GB (2GB 256M x 64-Bit x 2 pcs.) DDR3-2133 CL10 240-Pin DIMM Kit 是金士顿的一款 4GB DDR3-2133 内存，支持 Intel® XMP (Extreme Memory Profiles)，支持 JEDEC 标准低延迟 DDR3-1333 时序 9-9-9 1.5V。

金士顿 KVR1333D3LS4R9S/4GI 说明书

该文档描述了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，通过Intel®兼容性测试，注册带奇偶校验，1Rx4 ECC内存模块，基于十八个512M x 4位DDR3L-1333 FBGA组件。该DIMM采用金触点。其电气和机械规格如下：

金士顿 KHX1333C7AD3/4G 说明书

该文件描述了金士顿的512M x 64位（4GB）DDR3-1333 CL7 SDRAM（同步DRAM）内存模块的特点特性，基于十六个256M x 8位FBGA组件。该模块经过测试，以1.65V的低延迟时间7-7-7-20以DDR3-1333运行。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时间9-9-9。该240针DIMM使用金接触指。JEDEC的电气和机械规格如下：

金士顿 KVR1333D3LD8R9SL/4GEC 说明书

本文档介绍了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，注册带奇偶校验，2Rx8，ECC，VLP（超低型）内存模块。该模块基于十八个256M x 8位DDR3L-1333 FBGA元件。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序为9-9-9，电压为1.5V。该240针DIMM接口使用金触点。

金士顿 KHX2400C11D3K4/8GX 说明书

这是一个关于 Kingston的 KHX2400C11D3K4/8GX 内存模块的产品描述文件。它包含了内存模块的容量、速度、时序等信息

金士顿 KVR1333D3N9K2/2G 说明书

KVR1333D3N9K2/2G 2GB (1GB 1Rx8 128M x 64-Bit x 2 pcs.) PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM Kit 是 ValueRAM 的一款内存模块，采用 DDR3-1333 内存，单条容量为 1GB，总容量为 2GB，支持 CAS 延迟 9、8、7、6，支持 8 个独立内部 bank，支持 Burst Length 8 和 4，支持 Asynchronous Reset，支持 On Die Termination using ODT pin，支持 Bi-directional Differential Data Strobe，支持 Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)，支持 Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C。

金士顿 KVR1333D3LQ8R9S/8GEC 说明书

这份文档介绍了ValueRAM的DDR3L-1333 CL9 SDRAM (同步DRAM) 8GB内存模块的特点和特性，包括低电压、注册、带奇偶校验、4Rx8 ECC等特性。

Kingston KVR1066D3D8R7SK3/12G Memory Module Specifications

该文档介绍了KVR1066D3D8R7SK3/12G型号的内存模块规格，包括模块容量、时序、电压、特性等。

金士顿 KHX1333C9D3B1K2/8G 说明书

KHX1333C9D3B1K2/8G 8GB (4GB 512M x 64-Bit x 2 pcs.) DDR3-1333 CL9 240-Pin DIMM Kit 是金士顿的一款内存条，采用2Rx8内存模块，总容量为8GB。该产品支持 JEDEC 标准延迟 DDR3-1333 时序，电源电压为 1.5V。

金士顿 KVR1333D3LD4R9S/8GEC 说明书

这份文档介绍了ValueRAM的1G x 72-bit (8GB) DDR3L-1333 CL9 SDRAM (同步DRAM)低电压、带奇偶校验、2Rx4 ECC内存模块的特点和特性。它基于36颗512M x 4位DDR3L-1333 FBGA元件。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序，为9-9-9，电压为1.5V。该240针DIMM使用金接触点。电气和机械规格如下：

金士顿 KHX6400S2ULK2/4G 说明书

这款KHX6400S2ULK2/4G内存条是一款2GB的DDR2内存条，采用了256M x 64-bit的构造，带有CL4超低延迟时序，总容量为4GB。

金士顿 KHX4200S2LL/2G 说明书

该文档描述了ValueRAM的256M x 64位 2GB (2048MB) PC2-4200 CL3 SDRAM (同步DRAM)内存模块的特点和特性。该模块基于16个128M x 8位DDR2 FBGA组件。 SPD被编程为JEDEC低延迟时序3-3-3-8，工作电压为1.8V。这款200针SODIMM使用金触点，并需要+1.8V电压。电气和机械规格如下：...